[发明专利]使用光电二极管的CMOS图像传感器像素有效
申请号: | 200780015834.8 | 申请日: | 2007-04-18 |
公开(公告)号: | CN101438576A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | W·徐 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | H04N3/15 | 分类号: | H04N3/15 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王忠忠 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 光电二极管 cmos 图像传感器 像素 | ||
1.一种图像传感器,所述图像传感器包括多个像素和多个模拟 到数字转换器,其中所述多个像素中的每个包括:
(a)积累对应于接收的入射光的电荷的光敏区域;
(b)具有被施加到传输门的电压的电压供给,其中当“高”被 施加到所述行选择晶体管的栅极时,所述电压开始从初始电压斜升到 参考电压;
(c)用于接收来自所述光敏区域的电荷的至少一部分并将所述 电荷转换成电压的浮动扩散;
(d)用于放大从所述浮动扩散接收的所述电压的放大器;
(e)用于检测来自所述放大器的电压脉冲的脉冲检测器;
(f)用于对到所述传输门的所述电压的初始施加与来自所述脉 冲检测器的信号的接收之间的时钟周期进行计数的计数器,其中来自 所述脉冲检测器的所述信号指示在所述浮动扩散处的电压改变,所述 电压改变指示从所述光敏区域到所述浮动扩散的电荷转移的开始;
(g)脉冲电压被施加给复位晶体管的栅极以从浮动扩散电容器清除 所述电荷,以将所述浮动扩散复位到参考电压;以及
其中,所述传输门将电荷从光电二极管传送到所述浮动扩散,其 中行选择晶体管选择用于输出到像素输出列总线的像素的特定行,其 中所述行选择晶体管的一端被连接到所述放大器并且所述行选择晶 体管的另一端被连接到所述像素输出列总线,其中所述脉冲检测器通 过开关被连接到所述像素输出列总线,并且其中所述计数器被连接到 所述脉冲检测器。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述光敏区域是光电 二极管。
3.如权利要求1所述的图像传感器,还包括:(h)被电连接到 所述放大器的行选择晶体管,用于启动读出。
4.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述图像传感器被设 置在图像捕获装置中。
5.一种操作图像传感器的方法,所述方法包括以下步骤:
(a)通过光敏区域积累对应于接收的入射光的电荷,其中所述 光敏区域包括电荷势阱;
(b)将电压施加到传输门,其中当“高”被施加到所述行选择 晶体管的栅极用于选择所述特定行的像素时,所述电压开始从初始电 压斜升到参考电压;
(c)一旦将所述电压初始施加到所述传输门(70),则开始时 钟周期的计数;
(d)检测浮动扩散处的电压改变,其中所述电压改变指示从所 述光敏区域到所述浮动扩散的电荷转移的开始;
(e)一旦检测到所述电压改变,则停止时钟周期的所述计数; (f)输出代表已计数的时钟周期的数目的信号;
其中,所述方法进一步包括:
(g)将电荷从所述光电二极管传送到所述浮动扩散;
(h)选择用于输出到像素输出列总线的像素的特定行;以及
其中脉冲检测器通过开关被连接到所述像素输出列总线,并且用 于计数所述时钟周期的计数器被连接到所述脉冲检测器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊斯曼柯达公司,未经伊斯曼柯达公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780015834.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。