[发明专利]并五苯聚合物及其在电子器件中的应用无效
| 申请号: | 200780015624.9 | 申请日: | 2007-05-04 |
| 公开(公告)号: | CN101432903A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
| 发明(设计)人: | S·刘;O·塞多伦科;S·维迪亚纳坦 | 申请(专利权)人: | 卢森特技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘元金;韦欣华 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 聚合物 及其 电子器件 中的 应用 | ||
1.一种组合物,它包含:
许多单体的聚合物或共聚物,每个单体是并五苯或取代的并五苯。
2.权利要求1的组合物,其中该聚合物包括至少10个单体。
3.权利要求1的组合物,其中某些单体包括取代的并五苯,每个取 代的并五苯包括并五苯单元和以化学方式键合在并五苯单元上的吸电 子基团。
4.一种设备,它包含:
基材;和
覆盖在基材上的有机半导体基质,该有机半导体基质包括聚合物、 共聚物或稳定化的并五苯三者之一;且
其中聚合物和共聚物包括并五苯和/或取代的并五苯单体;并且
其中稳定化的并五苯是一种氧化速率低于并五苯的取代并五苯。
5.权利要求4的设备,其中稳定化并五苯包括以化学方式键合在并 五苯单元上的吸电子基团。
6.权利要求4的设备,其中聚合物包括至少10个单体。
7.权利要求4的设备,其中聚合物的氧化速率低于并五苯的氧化速 率。
8.权利要求4的设备,其中每个单体包含1个共价键合在桥连亚单 元上的并五苯亚单元,该桥连亚单元包含至少一个吸电子基团。
9.权利要求4的设备,其中每个单体包含1个共价键合在桥连亚单 元上的并五苯亚单元,该桥连亚单元具有至少一个增溶基团。
10.一种制造方法,包含,
在基材上成形有机半导体基质,所述有机半导体基质包括聚合物、 共聚物和稳定化的并五苯之一;并且
其中聚合物和共聚物包括并五苯或取代的并五苯单体;并且稳定化 的并五苯是一种氧化速率低于并五苯的取代并五苯。
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