[发明专利]用于生产固结的和纯化的材料的方法

权利要求书

1.一种用于生产纯化的半导体或金属材料的方法，所述方法包括：

(a)将半导体或金属材料的颗粒组合物与金属卤化物混合以制备材料-金 属卤化物的混合物，其中该颗粒组合物具有第一密度；

(b)在一个容器内加热所述混合物至高于该半导体或金属材料熔点的温 度，在所述温度所述容器是化学稳定和物理稳定的；

(c)使得该混合物分成该半导体或金属材料层及金属卤化物层；

(d)冷却该混合物；和

(e)将金属卤化物与该半导体或金属材料分离，因此制得具有第二密度 的、纯化的半导体或金属材料，所述的第二密度高于第一密度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中(a)是在液体中进行的，以使得颗 粒组合物和金属卤化物是浆料的形式。

3.根据权利要求1所述的方法，其中颗粒组合物包括Si、Ti、Zr、V、 Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ga、Na、B、Ge、GaAs、CdTe、CuInSe₂、或Cu(InGa)Se₂中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的方法，其中颗粒组合物是Si或Ti。

5.根据权利要求1所述的方法，其中金属卤化物包括IA族的卤化物、或 IIA族的卤化物。

6.根据权利要求3所述的方法，其中金属卤化物包括NaF、KF、BaF₂、 CaF₂、或其组合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中颗粒组合物包括金属氧化物。

8.根据权利要求1所述的方法，其中颗粒组合物包括粉末。

9.根据权利要求8所述的方法，其中粉末包括具有平均粒径从0.01微米 到10mm的金属颗粒。

10.根据权利要求1所述的方法，其中容器的内表面包括石墨。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述内表面还包括石墨箔。

12.根据权利要求1所述的方法，其中温度的范围是从1000℃到1500℃。

13.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(b)还包括：加热该混合物 至高于该金属卤化物熔点的温度；以及

在加热该混合物至高于该金属卤化物熔点的温度之后施用一个中间停止 步骤，其中该混合物的温度既没有些许的下降也没有升高；以及

在该中间停止步骤之后，加热该混合物至高于该半导体或金属材料的熔点 的温度。

14.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤d)之前，重复步骤b)和c) 一次或多次。

15.根据权利要求1所述的方法，其中金属卤化物从该半导体或金属材料 被物理地或化学地分离出来。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述分离导致从该半导体或金属材 料中大量移除金属卤化物。

17.根据权利要求1所述的方法，其中以从1℃/min到100℃/min的冷却 速度来进行冷却。

18.根据权利要求1所述的方法，其中纯化的半导体或金属材料包括锭、 晶片或带。

19.根据权利要求5所述的方法，其中IA族的卤化物或IIA族的卤化物 包括选自下列之一个或多个：氯化钾、氯化钙、氯化钡、氯化镁、氟化钠、氟 化钾、氟化钙、氟化钡、氟化镁、溴化钠、溴化钾、溴化钙、溴化钡、溴化镁、 碘化钠、碘化钾、碘化钙、碘化钡、或碘化镁。