[发明专利]静态随机存取存储器泄漏减小电路

权利要求书

1.用于将静态随机存取存储器(SRAM)阵列的虚地节点维持在数据保持水平的系统，包括：

用于产生阈值参考电压的阈值参考电压产生电路，阈值参考电压基于静态随机存取存储器阵列中的存储器单元晶体管的阈值电压；

耦合到阈值参考电压产生电路以接收阈值参考电压并且输出等于正供给电压和倍增因数与存储器单元晶体管的阈值电压的乘积之间的差的虚地参考电压的乘法器电路；及

耦合到乘法器电路以接收虚地参考电压并且将耦合到静态随机存取存储器阵列的虚地节点维持在虚地参考电压的虚地泄漏减小电路。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，阈值参考电压产生电路包括分压器。

3.根据权利要求2所述的系统，其中，分压器包括：

阈值参考电压节点；

耦合到阈值参考电压节点以跟踪静态随机存取存储器阵列中的存储器单元晶体管的阈值电压的阈值电压跟踪装置；及

耦合到阈值参考电压节点的电流放电装置。

4.根据权利要求3所述的系统，其中，阈值电压跟踪装置耦合在正供给电压和阈值参考电压节点之间，并且电流放电装置耦合在阈值参考电压节点和负供给电压之间。

5.根据权利要求3所述的系统，其中，阈值电压跟踪装置包括具有与静态随机存取存储器阵列中的存储器单元晶体管大致相同的特性的参考晶体管。

6.根据权利要求5所述的系统，其中，参考晶体管包括n-沟道晶体管。

7.根据权利要求5所述的系统，其中，参考晶体管的栅极和漏极耦合到正供给电压，并且参考晶体管的源极耦合到电流放电装置。

8.根据权利要求3所述的系统，其中，阈值电压跟踪装置包括并行连接的多个参考晶体管，多个参考晶体管中的每个具有与静态随机存取存储器阵列中的存储器单元晶体管大致相同的特性。

9.根据权利要求3所述的系统，其中，阈值电压跟踪装置包括修改的静态随机存取存储器存储器单元。

10.根据权利要求9所述的系统，其中，修改的静态随机存取存储器存储器单元包括包含第一和第二存储器单元晶体管的六晶体管交叉耦合的CMOS单元，第一存储器单元晶体管的栅极和漏极耦合到正供给电压，第二存储器单元晶体管的漏极连接到正供给电压，第一和第二存储器单元晶体管的源极终端耦合到阈值参考电压节点。

11.根据权利要求3所述的系统，其中，电流放电装置包括电阻器。

12.根据权利要求3所述的系统，其中，电流放电装置包括电流源。

13.根据权利要求3所述的系统，其中，电流放电装置耦合在正供给电压和阈值参考电压节点之间，并且阈值电压跟踪装置耦合在阈值参考电压节点和负供给电压之间。

14.根据权利要求13所述的系统，其中，阈值电压跟踪装置包括具有与静态随机存取存储器阵列中的存储器单元晶体管大致相同的特性的参考晶体管。

15.根据权利要求14所述的系统，其中，参考晶体管包括n-沟道晶体管，n-沟道晶体管的栅极和漏极耦合到电流放电装置，并且n-沟道晶体管的源极耦合到负供给电压。

16.根据权利要求13所述的系统，其中，电流放电装置包括电阻器。

17.根据权利要求13所述的系统，其中，电流放电装置包括电流源。

18.根据权利要求1所述的系统，其中，乘法器电路包括包含第一反馈链元件和第二反馈链元件的反馈路径电路，倍增因数基于第一反馈链元件与第二反馈链元件的比率。

19.根据权利要求18所述的系统，其中，乘法器电路包括：

运算放大器，运算放大器的反相输入耦合到阈值参考电压电路的输出，并且运算放大器的非反相输入耦合到第一反馈链元件和第二反馈链元件；及

乘法器电路晶体管，乘法器电路晶体管的源极耦合到负供给电压，并且乘法器电路晶体管的栅极耦合到运算放大器的输出，并且乘法器电路晶体管的漏极耦合到第二反馈链元件，使得第二反馈链元件耦合在乘法器电路的漏极和运算放大器的非反相输入之间，

第一反馈链元件耦合在运算放大器的非反相输入和正供给电压之间。