[发明专利]双折射膜及其制造方法无效
申请号: | 200780015122.6 | 申请日: | 2007-03-09 |
公开(公告)号: | CN101432644A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 宫崎顺三;井上彻雄;松田祥一;长塚辰树 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;G02F1/13363 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 双折射 及其 制造 方法 | ||
1.一种双折射膜,其折射指数椭圆满足nx>nz>ny的关系,且含有至少1种具有-SO3M基及/或-COOM基的多环化合物,其中,M表示抗衡离子。
2.根据权利要求1所述的双折射膜,其中,所述双折射膜在波长590nm处的面内双折射率Δn[590]为0.05以上。
3.根据权利要求1或2所述的双折射膜,其中,所述双折射膜的厚度为0.05μm~10μm。
4.根据权利要求1~3中的任意一项所述双折射膜,其中,所述双折射膜含有下述通式(I)所示的苊并[1,2-b]喹喔啉衍生物,
式中,i、j、k、l分别独立地为0~4的整数,m、n分别独立地为0~6的整数,R1、R2分别表示碳数1~6的烷基,M表示可分别相同也可不同的抗衡离子,i、j、k、l、m、及n不同时为0。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的双折射膜,其中,所述双折射膜在波长590nm处的面内相位差值Re[590]为20nm~1000nm。
6.根据权利要求1~5中的任意一项所述的双折射膜,其中,所述双折射膜在波长590nm处的面内相位差值Re[590]与厚度方向的相位差值Rth[590]的差为10nm~800nm。
7.根据权利要求1~6中的任意一项所述的双折射膜,其中,所述双折射膜的Nz系数为大于0且小于1。
8.一种层叠膜,其至少具有权利要求1~7中的任一项所述的双折射膜及基材。
9.一种双折射膜的制造方法,其包括以下(1)~(3)的工序:
(1)制备含有溶剂及至少1种具有-SO3M基及/或-COOM基的多环化合物、且显示向列型液晶相的溶液的工序,其中,M表示抗衡离子;
(2)准备至少一个表面被亲水化处理的基材的工序;
(3)在所述工序(2)中所准备的基材的经亲水化处理的表面上,涂布在所述工序(1)中制备的溶液,且使其干燥的工序。
10.根据权利要求9所述的双折射膜的制造方法,其中,所述亲水化处理为电晕处理、等离子处理、碱处理、或结合层(Anchor coat)处理。
11.根据权利要求9或10所述的双折射膜的制造方法,其中,所述基材为玻璃基板或高分子膜。
12.一种偏振板,其至少具有权利要求1~7中任一项所述的双折射膜及偏振片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780015122.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。