[发明专利]硫属元素层的高生产量印刷和金属间材料的使用

权利要求书

1.一种用于形成吸收层的方法，其包括：

由前体材料在衬底上形成前体层，其中，所述前体材料包含：

a)含至少一种IB-IIIA族金属间材料的至少第一层；

b)含硫属元素颗粒的至少第二层；以及

以一个或多个步骤使前体层反应从而形成吸收层，其中所述 IB-IIIA族金属间材料选自如下组：Cu₁In₂的δ相的组成、Cu₁In₂的δ 相与Cu₁₆In₉限定的相之间的组成、Cu₁In₂，Cu₁Ga₂、Cu₁Ga₂的中间固溶 体、Cu₆₈Ga₃₈、Cu₇₀Ga₃₀、Cu₇₅Ga₂₅、端际固溶体和紧邻它的中间固溶体之 间的相的Cu-Ga组成、具有31.8至39.8wt％Ga的γ1相的Cu-Ga组 成、具有36.0至39.9wt％Ga的γ2相的Cu-Ga组成、具有39.7至 44.9wt％Ga的γ3相的Cu-Ga组成、具有66.7至68.7wt％Ga的θ 相的Cu-Ga组成、γ2与γ3之间的相的Cu-Ga组成、端际固溶体与γ1 之间的相的Cu-Ga组成、和富Cu的Cu-Ga。

2.权利要求1的方法，其中，硫属元素颗粒包含单质硫属元素。

3.权利要求1的方法，其中，在所述第二层之上形成所述第一层。

4.权利要求1的方法，其中，在所述第一层之上形成所述第二层。

5.权利要求1的方法，其中，所述第一层还含有单质硫属元素颗 粒。

6.权利要求1的方法，其中，所述第一层的IB族元素是IB族硫 属元素化物形式。

7.权利要求1的方法，其中，所述第一层的IIIA族元素是IIIA 族硫属元素化物形式。

8.权利要求1的方法，其还包括含单质硫属元素颗粒的第三层。

9.权利要求1的方法，其中，所述两种或更多种不同的IIIA族 元素包括铟和镓。

10.权利要求1的方法，其中，所述IB族元素是铜。

11.权利要求1的方法，其中，硫属元素颗粒是硒、硫或碲的颗 粒。

12.权利要求1的方法，其中，所述前体层是基本上无氧的。

13.权利要求1的方法，其中，形成前体层包括形成分散体并将 分散体散布到衬底上以形成分散体膜，所述分散体包括含一种或多种 IB族元素的纳米颗粒和含两种或更多种IIIA族元素的纳米颗粒。

14.权利要求13的方法，其中，形成前体层包括烧结所述膜以形 成前体层。

15.权利要求14的方法，其中，烧结前体层在将含有单质硫属元 素颗粒的层布置在前体层之上的步骤之前执行。

16.权利要求1的方法，其中，所述衬底是柔性衬底，并且其中， 形成前体层和/或在前体层上布置含单质硫属元素颗粒的层和/或加热 前体层和硫属元素颗粒包括在柔性衬底上卷到卷制造的使用。

17.权利要求1的方法，其中，所述衬底是铝箔衬底。

18.权利要求1的方法，其中，IB-IIIA硫属元素化物化合物为 Cu_zIn_(1-x)Ga_xS_2(1-y)Se_2y形式，其中，0.5≤z≤1.5、0≤x≤1.0且0≤y≤ 1.0。