[发明专利]下层膜形成用组合物及图案形成方法

权利要求书

1、一种下层膜形成用组合物，其中，含有具有下述通式(1)所示的萘衍生物结构单元的聚合物(A)，

式中，R₁表示羟基、碳原子数为1～6的可以取代的烷基、碳原子数为1～6的可以取代的烷氧基、碳原子数为2～10的可以取代的烷氧羰基、碳原子数为6～14的可以取代的芳基、或碳原子数为2～6的可以取代的缩水甘油醚基；n是0～6的整数；其中，n为2～6时，多个R₁可以相同也可以不同；X表示亚甲基、碳原子数为2～20的可以取代的亚烷基、碳原子数为6～14的可以取代的亚芳基、或亚烷基醚基；m是1～8的整数；m为2～8时，多个X可以相同也可以不同；此外，n+m是1～8的整数。

2、根据权利要求1所述的下层膜形成用组合物，其中，在所述通式(1)中，R₁具有下述式(2)所示的结构，

3、根据权利要求2所述的下层膜形成用组合物，其中，在所述通式(1)中，X具有下述式(3)和/或(4)所示的结构，

4、根据权利要求3所述的下层膜形成用组合物，其中，进一步含有酸发生剂(C)。

5、根据权利要求3所述的下层膜形成用组合物，其中，进一步含有交联剂(D)。

6、根据权利要求3所述的下层膜形成用组合物，其中，进一步含有添加剂(B)。

7、一种图案形成方法，具有如下工序：

在基板上涂布权利要求1～6中任一项所述的下层膜形成用组合物，使所得涂膜固化而形成抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成工序；

在该抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂组合物溶液，将所得涂膜进行预烘培而形成抗蚀剂被膜的抗蚀剂被膜形成工序；

通过光掩模将该抗蚀剂被膜选择性地曝光的曝光工序；

将曝光后的抗蚀剂被膜进行显影的显影工序；及

对抗蚀剂下层膜和被加工基板进行蚀刻的蚀刻工序。