[发明专利]作为有机半导体的醌型体系

权利要求书

1.一种半导体装置，其包含非聚合的化合物作为有机半导体，特征 在于所述的化合物是式I的醌型二杂并苯

其中X代表O、S或者NR，每个R，R₁，R₂，R₃，R₄，R₅，R₆，R₇，R₈独立地 选自氢和有机残基，同时R不是氢，或者其2个或更多一起形成一个或 多个稠合环，该环任选地是被取代的或者未取代的，碳环的或者杂环的， 芳族的，醌型或者脂族的。

2.权利要求1的半导体装置，其中式I的化合物的分子量小于 1200g/mol，并且属于对称群C_s或者C_2h。

3.权利要求1的半导体装置，其是二极管、有机场效应晶体管、太 阳能电池、或者包含二极管和/或有机场效应晶体管和/或太阳能电池的 装置。

4.权利要求1的半导体装置，这里在式I的化合物中：

R选自未取代的或者取代的烷基、未取代的或者取代的链烯基、未 取代的或者取代的炔基、未取代的或者取代的芳基；

每个R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈独立地选自H、未取代的或 者取代的烷基、未取代的或者取代的链烯基、未取代的或者取代的炔基、 未取代的或者取代的芳基、卤素、取代的甲硅烷基、XR₁₂；或者一种或 多种的R、R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈与它们所连接的碳原子或 者氮原子一起形成饱和的或者不饱和的、未取代的或者取代的碳环的或 者杂环的稠合环；

R₁₂是未取代的或者取代的烷基、未取代的或者取代的链烯基、未 取代的或者取代的炔基、取代的甲硅烷基、未取代的或者取代的芳基。

5.权利要求1的半导体装置，其中在式I中：

每个烷基选自C₁-C₂₂烷基，其任选地用O、S、COO、OCNR10、 OCOO、OCONR10、NR10CNR10或者NR10中断，这里R10是H、C₁-C1₂烷基、C₃-C₁₂环烷基；

每个芳基选自C₄-C₁₈芳族部分，作为环结构的一部分，其任选地包 含1或者2个选自O、N和S的杂原子；

稠合环，存在的情况下，是通过2个或更多残基R₁、R₂、R₃、R₄、 R₅、R₇形成的，并且是芳族碳环的或者N-杂环的、取代的或者未取代 的6-元环；

取代基，存在的情况下，键合到碳原子上并且选自C₁-C₂₂烷氧基、 C₁-C₂₂烷基、C₄-C₁₂环烷氧基、C₃-C₁₂环烷基、OH、卤素、Si(R11)₃、 苯基、萘基；而饱和的碳还任选地用氧(＝O)取代；2个邻近的取代基任 选地连接在一起来形成内酯、酸酐、酰亚胺或者碳环。

6.权利要求5的半导体装置，其中所述的芳基选自苯基、萘基、吡 啶基、四氢萘基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、醌醇基、异醌醇基、蒽醌 基、蒽基、菲基、芘基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、和苯并噻吩基。