[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其为对在表面上形成有含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的基板进行的基板处理方法，其特征在于，包括：

对所述基板的表面照射紫外线，除去所述有机物的一部分的紫外线处理工序；

在所述紫外线处理工序之后进行，向所述基板的表面供给氟化氢的蒸气，除去所述无机物的至少一部分的氟化氢处理工序；和

在所述紫外线处理工序之后进行，通过对所述基板进行加热，使尚未被除去的所述有机物的一部分收缩的加热处理工序。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

所述氟化氢处理工序在所述加热处理工序之前至少实施一次，并且在所述加热处理工序之后也至少实施一次。

3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述加热处理工序中，所述基板被加热到100℃以上。

4.一种对在表面上形成有含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的基板进行的基板处理方法，其特征在于，包括：

对所述基板的表面照射紫外线，除去所述有机物的一部分的紫外线处理工序；和

在所述紫外线处理工序之后进行，向所述基板的表面供给氟化氢的蒸气，除去所述无机物的一部分的氟化氢处理工序，

由所述紫外线处理工序和所述氟化氢处理工序组成的工序组反复进行多次，

还包括通过对所述基板进行加热，使尚未被除去的所述有机物的一部分收缩的加热处理工序。

5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述加热处理工序中，所述基板被加热到100℃以上。

6.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

对基板进行在基板的表面上形成含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的处理的复合生成物形成工序；

在所述复合生成物形成工序之后进行，对所述基板的表面照射紫外线，除去所述有机物的一部分的紫外线处理工序；和

在所述紫外线处理工序之后进行，向所述基板的表面供给氟化氢的蒸气，除去所述无机物的一部分的氟化氢处理工序，其中

所述复合生成物形成工序、所述紫外线处理工序和所述氟化氢处理工序均在真空气氛下进行。

7.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：

在同一真空气氛下连续进行所述复合生成物形成工序、所述紫外线处理工序和所述氟化氢处理工序。

8.如权利要求6或7所述的基板处理方法，其特征在于：

所述复合生成物形成工序是，利用使包括含有碳和氟的气体以及氧气的处理气体等离子体化而得到的等离子体，相对形成在基板上的硅层上的氧化硅膜，以规定的图案蚀刻至所述硅层的表面部，从而形成凹部的工序。

9.如权利要求6或7所述的基板处理方法，其特征在于：

所述复合生成物形成工序是，相对在基板上从下方开始依次叠层有氧化硅膜和多晶硅膜的叠层体，通过以规定的图案进行蚀刻而形成凹部的工序，其包括：

利用使含有卤素的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对所述多晶硅膜进行蚀刻的工序；和

利用使含有碳和氟的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对所述氧化硅膜进行蚀刻的工序。

10.一种洗净方法，其为在处理容器内对基板进行在基板的表面上形成含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的处理之后，对所述处理容器内和/或所述处理容器内的构成部件进行洗净的方法，其特征在于，包括：

对所述处理容器的内表面和/或所述处理容器内的构成部件的表面照射紫外线，除去形成在所述处理容器内和/或所述处理容器内的构成部件上的有机物的一部分的紫外线处理工序；

在所述紫外线处理工序之后进行，向所述处理容器的内表面和/或所述处理容器内的构成部件的表面供给氟化氢的蒸气，除去形成在所述处理容器内和/或所述处理容器内的构成部件上的无机物的至少一部分的氟化氢处理工序；和

在所述紫外线处理工序之后进行，通过对所述处理容器的内表面和/或所述处理容器内的构成部件的表面进行加热，使尚未被除去的所述有机物的一部分收缩的加热处理工序。