[发明专利]用于联合改变材料、单元工艺和工艺顺序的方法和装置无效
申请号: | 200780012793.7 | 申请日: | 2007-02-12 |
公开(公告)号: | CN101421433A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 托尼·P·江;戴维·E·拉佐夫斯凯;库尔特·魏纳;格斯·平托;托马斯·布西埃;萨莎·格雷尔 | 申请(专利权)人: | 分子间公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;G01N33/20;H01L21/66;G01R31/26;A23B4/12;A23J3/34 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王昭林;崔 华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 联合 改变 材料 单元 工艺 顺序 方法 装置 | ||
1.一种用于筛选适于制造器件的材料、单元工艺、和工艺顺序的方 法,其包括:
通过改变材料、单元工艺和工艺顺序用联合方式处理第一衬底上的 区域;
测试所述第一衬底上的该处理过的区域;
基于所述第一衬底上的所述处理过的区域的测试结果,通过改变单 元工艺和工艺顺序用联合方式处理第二衬底上的区域;以及
测试所述第二衬底上的该处理过的区域;
其中,所述第一衬底是空白晶圆,所述第二衬底是图案化的晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
通过改变材料、单元工艺或工艺顺序中之一用联合方式处理第三衬 底上的区域,并且测试所述第三衬底上该处理过的区域。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一和第二衬底 被图案化,其中所述第二衬底的图案包括至少一个来自所述第一衬底的 图案的结构。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述处理形成所述第 二衬底的区域上的结构,所述第二衬底的区域上的结构与商品半导体芯 片上的结构相关联。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,与所述第一衬底上的 结构相比,所述第二衬底上的结构与商品器件结构关系更紧密,而对所 述第二衬底上的处理过的区域的测试是基于商品器件的重要参数。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述第二衬底上的 所述处理过的区域的测试结果被反馈来训练所述第一衬底上的处理。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述处理在区域内是 均匀的。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在各自衬底上的所述 区域重叠,但每一所述区域的一部分是均匀的。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对区域的所述处理跨 越各自不同的区域是均匀的,使得来自所述各自不同的区域的测试结果 由改变引起。
10.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述第三衬底上 所形成的结构的电气测试判定所形成的结构是否符合器件参数。
11.一种用于筛选适于制造过程的材料、单元工艺和工艺顺序的方 法,其包括:
通过改变制造过程中的单元工艺用联合方式处理第一衬底上的区 域;
测试所述第一衬底上的该处理过的区域;
基于所述第一衬底上的所述处理过的区域的测试结果,通过改变工 艺顺序用联合方式处理第二衬底上的区域;以及
测试所述第二衬底上的该处理过的区域;
其中,所述第一衬底是空白晶圆,所述第二衬底是图案化的晶圆。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,相比于测试所述第 一衬底上的所述处理过的区域时所进行的测试,测试所述第二衬底上的 所述处理过的区域时所进行的测试更复杂。
13.根据权利要求11所述的方法,其进一步包括:
在处理所述第一衬底上的区域时形成结构;以及
在处理所述第二衬底上的区域时形成结构,其中与在处理所述第一 衬底上的区域时所形成的结构相比,在处理所述第二衬底上的区域时所 形成的结构更类似于商品结构。
14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,用联合方式处理所 述第一衬底上的区域所选择的材料,由利用了梯度或场所隔离联合工艺 中之一的现有联合筛选所产生。
15.一种用于获取适于制造工艺顺序的全局最佳工艺顺序的方法, 其包括:
用工艺顺序在衬底的区域之间变化的工艺实施所述制造工艺顺序, 其中用以形成每一区域中的结构的工艺具有局部均匀性,
其中,所述衬底是空白晶圆或具有基本测试结构的晶圆。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的