[发明专利]用于联合改变材料、单元工艺和工艺顺序的方法和装置无效

专利信息
申请号: 200780012793.7 申请日: 2007-02-12
公开(公告)号: CN101421433A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: 托尼·P·江;戴维·E·拉佐夫斯凯;库尔特·魏纳;格斯·平托;托马斯·布西埃;萨莎·格雷尔 申请(专利权)人: 分子间公司
主分类号: C23C16/52 分类号: C23C16/52;G01N33/20;H01L21/66;G01R31/26;A23B4/12;A23J3/34
代理公司: 北京邦信阳专利商标代理有限公司 代理人: 王昭林;崔 华
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 联合 改变 材料 单元 工艺 顺序 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种用于筛选适于制造器件的材料、单元工艺、和工艺顺序的方 法,其包括:

通过改变材料、单元工艺和工艺顺序用联合方式处理第一衬底上的 区域;

测试所述第一衬底上的该处理过的区域;

基于所述第一衬底上的所述处理过的区域的测试结果,通过改变单 元工艺和工艺顺序用联合方式处理第二衬底上的区域;以及

测试所述第二衬底上的该处理过的区域;

其中,所述第一衬底是空白晶圆,所述第二衬底是图案化的晶圆。

2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

通过改变材料、单元工艺或工艺顺序中之一用联合方式处理第三衬 底上的区域,并且测试所述第三衬底上该处理过的区域。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一和第二衬底 被图案化,其中所述第二衬底的图案包括至少一个来自所述第一衬底的 图案的结构。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述处理形成所述第 二衬底的区域上的结构,所述第二衬底的区域上的结构与商品半导体芯 片上的结构相关联。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,与所述第一衬底上的 结构相比,所述第二衬底上的结构与商品器件结构关系更紧密,而对所 述第二衬底上的处理过的区域的测试是基于商品器件的重要参数。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述第二衬底上的 所述处理过的区域的测试结果被反馈来训练所述第一衬底上的处理。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述处理在区域内是 均匀的。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在各自衬底上的所述 区域重叠,但每一所述区域的一部分是均匀的。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对区域的所述处理跨 越各自不同的区域是均匀的,使得来自所述各自不同的区域的测试结果 由改变引起。

10.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述第三衬底上 所形成的结构的电气测试判定所形成的结构是否符合器件参数。

11.一种用于筛选适于制造过程的材料、单元工艺和工艺顺序的方 法,其包括:

通过改变制造过程中的单元工艺用联合方式处理第一衬底上的区 域;

测试所述第一衬底上的该处理过的区域;

基于所述第一衬底上的所述处理过的区域的测试结果,通过改变工 艺顺序用联合方式处理第二衬底上的区域;以及

测试所述第二衬底上的该处理过的区域;

其中,所述第一衬底是空白晶圆,所述第二衬底是图案化的晶圆。

12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,相比于测试所述第 一衬底上的所述处理过的区域时所进行的测试,测试所述第二衬底上的 所述处理过的区域时所进行的测试更复杂。

13.根据权利要求11所述的方法,其进一步包括:

在处理所述第一衬底上的区域时形成结构;以及

在处理所述第二衬底上的区域时形成结构,其中与在处理所述第一 衬底上的区域时所形成的结构相比,在处理所述第二衬底上的区域时所 形成的结构更类似于商品结构。

14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,用联合方式处理所 述第一衬底上的区域所选择的材料,由利用了梯度或场所隔离联合工艺 中之一的现有联合筛选所产生。

15.一种用于获取适于制造工艺顺序的全局最佳工艺顺序的方法, 其包括:

用工艺顺序在衬底的区域之间变化的工艺实施所述制造工艺顺序, 其中用以形成每一区域中的结构的工艺具有局部均匀性,

其中,所述衬底是空白晶圆或具有基本测试结构的晶圆。

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