[发明专利]开关损耗有所减少、使用寿命有所延长的节省空间型逆变器

权利要求书

1.一种逆变器，所述逆变器具有一个升压变流器(4)、一个线换向控制变流器(2)和一个滤波器(6)，其中，所述滤波器(6)与所述线换向控制变流器(2)的交流电压侧接点(12，14，16)相连，所述升压变流器(4)在其输出端与所述线换向控制变流器(2)的直流电压侧接点(8，10)相连，所述线换向控制变流器(2)的每个相(R，S，T)上均具有一个用作功率变流阀(T1，T2；T3，T4；T5，T6)的带有一反向并联二极管(30)的可断开功率半导体开关(28)，这些可断开功率半导体开关(28)在其控制端与一控制装置(32)相连，所述控制装置的输入端上施加电网(18)的确定的相电压。

2.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，

所述升压变流器(4)在其输入端配有一个电容器(C_G2)。

3.根据权利要求1和2中任一项权利要求所述的逆变器，其特征在于，

所述升压变流器(4)具有一个可断开功率半导体开关(T_HS)、一个去耦二极管(D_HS)、一个存储电感器(L_S)和一个滤波电容器(C_G1)，其中，所述可断开功率半导体开关(T_HS)与所述去耦二极管(D_HS)串联导电连接，所述滤波电容器(C_G1)与该串联连接结构并联导电连接，一个输入端接点(22)通过所述存储电感器(L_S)与所述可断开功率半导体开关(T_HS)和所述去耦二极管(D_HS)之间的节点(26)相连。

4.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的逆变器，其特征在于，

提供一个自阻断的MOS场效应晶体管用作所述升压变流器(4)的可断开功率半导体开关(T_HS)。

5.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的逆变器，其特征在于，

提供一个绝缘栅双极型晶体管用作所述升压变流器(4)的可断开功率半导体开关(T_HS)，所述绝缘栅双极型晶体管用硅制成，并带有一个用碳化硅制成的反向并联二极管。

6.根据权利要求4所述的逆变器，其特征在于，

常关闭型的MOS场效应晶体管用碳化硅制成。

7.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的逆变器，其特征在于，

所述交流电压侧的滤波器(6)具有三个采用星形接法的电容器(C1，C2，C3)。

8.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的逆变器，其特征在于，

所述交流电压侧的滤波器(6)具有三个采用三角形接法的电容器(C1，C2，C3)。

9.根据权利要求7或8所述的逆变器，其特征在于，

所述交流电压侧的滤波器(6)的每个电容器(C1，C2，C3)均与一个阻尼电阻器(R1，R2，R3)串联。

10.根据权利要求3所述的逆变器，其特征在于，

提供一个薄膜电容器用作滤波电容器(C_G1)。