[发明专利]自停止电路无效
申请号: | 200780010823.0 | 申请日: | 2007-10-30 |
公开(公告)号: | CN101410909A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 川野威;太田修策;星加浩志;桑田丈靖 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 停止 电路 | ||
技术领域
本发明涉及在半导体芯片的产品寿命已尽之后主动停止工作的技术。
背景技术
以往,已知有在满足预定条件时利用内部生成的电压信号来切断保险丝型开关装置以达到永久地破坏或停止功能的自破坏集成电路(参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开平7-297288号公报
发明内容
如果始终持续使用产品寿命已尽的产品,则将导致错误工作或功能失常,从而使威胁使用者利益或安全的风险增大。
在上述自破坏集成电路中,由于在使电路自破坏或功能停止后不能再次恢复电路的工作,所以不能区别是由故障导致的功能停止还是由自破坏导致的正常工作的停止。另外,一旦进行功能停止,就无法恢复电路的工作,所以存在难以进行故障分析的缺点。
本发明的目的在于实现在半导体芯片的产品寿命已尽之后主动地停止工作。
本发明的另一目的在于通过实现自停止后的工作恢复来确保故障分析的容易性。
为了实现在半导体芯片的产品寿命已尽之后主动地停止工作,本发明采用了如下的自停止电路的结构,其包括:存储元件,所存储的电荷量随着时间的经过而变化;和判断电路,在判断出该存储元件的电荷量已变化到预定量的时刻产生停止信号以停止该半导体芯片上的功能块的本来的工作。
上述存储元件可以包括构成为非易失性半导体存储元件的场效应晶体管。
如果还包括用于观测上述停止信号的外部输出端子,则能够容易地确认产品寿命已尽之后的自停止状态。
如果还包括用于输入抵消上述停止信号的取消信号的外部输入端子,则能够实现自停止后的工作恢复。
在采用构成为所存储的电荷的量随着时间的经过而减少的存储元件的情况下,还设置生成使该存储元件电荷释放电荷的擦除脉冲序列的擦除电路,以该存储元件的电荷量低于预定的阈值为条件,上述判断电路产生停止信号。在这种情况下,通过经由外部写入端子向该存储元件再次注入电荷,也可以实现自停止后的工作恢复。
本发明通过上述结构而具有在产品寿命已尽之后进行自停止的功能,并且可以实现自停止后的工作恢复,能够克服无法区别产品是由于何种故障而偶然发生破坏、还是由于产品寿命而正当地自停止这样的现有技术所具有的缺陷。
因此,根据本发明,能够确保产品寿命已尽或发生故障的产品不会导致错误工作或功能故障而威胁利用者的利益和安全,并且能够容易地进行以往难以实现的停止后的分析。
附图说明
图1是示出安装有本发明实施方式的自停止电路的半导体芯片的概略的框图。
图2是说明图1的自停止电路的工作的时序图。
图3是示出本发明的自停止电路中能够使用的非易失性存储元件的详细结构例的电路图。
图4是用于说明图3的非易失性存储元件的工作的图。
图5是示出安装有本发明另一实施方式的自停止电路的半导体芯片的概略的框图。
图6是示出安装有本发明又一实施方式的自停止电路的半导体芯片的概略的框图。
标号说明
1半导体芯片
10系统电路
20、20a、20b、20c非易失性存储元件
21、21a、21b、21c电压输出信号
30擦除电路
31擦除信号
40判断电路
41、41a、41b、41c停止信号
50、50a、50b、50c写入端子
51、51a、51b、51c写入信号
52停止信号观测端子
53取消信号输入端子
60、60a、60b、60c功能块
70、70a、70b、70c写入端子用焊盘
71停止信号观测焊盘
72取消信号输入焊盘
200场效应晶体管
201、201a、201b、201c擦除信号输入
202、202a、202b、202c写入信号输入
203、203a、203b、203c电压输出
221、222、231~233、241~243开关
250读出放大器
260“或非”(NOR)电路
261“或非”信号
800电荷注入指令电路
801电荷注入控制电路
802写入信号输入
803指令信号
804指令信号输入
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。
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