[发明专利]在半导体加工中蚀刻金属硬掩模材料的组合物

权利要求书

1.湿蚀刻溶液，所述湿蚀刻溶液能够选择性蚀刻钛同时抑制钨、 氧化物电介质材料和掺碳氧化物的蚀刻，其包含：

稀氢氟酸和含硅前体的混合物的产物，其中所述含硅前体选自氨基 官能性硅烷、环氧官能性硅烷、乙烯基官能性硅烷、烷氧基硅烷、酮肟 硅烷、乙酰氧基硅烷、二乙基硅烷和二苯基硅烷。

2.权利要求1的湿蚀刻溶液，其中所述混合物进一步包含表面活 性剂、羧酸和铜腐蚀抑制剂。

3.权利要求2的湿蚀刻溶液，其中铜的蚀刻被抑制。

4.权利要求2的湿蚀刻溶液，其中所述含硅前体选自：氨基丙基 三乙氧基硅烷、氨基丙基三甲氧基硅烷、氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、 氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、氨基乙基氨基丙基三甲氧基硅烷、氨基乙 基氨基丙基三乙氧基硅烷、氨基乙基氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、二亚 乙基三氨基丙基三甲氧基硅烷、二亚乙基三氨基丙基三乙氧基硅烷、二 亚乙基三氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、二亚乙基三氨基丙基甲基二甲氧 基硅烷、二亚乙基三氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、环己基氨基丙基三甲 氧基硅烷、己二氨基甲基三乙氧基硅烷、苯基氨基甲基三甲氧基硅烷、 苯基氨基甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨基甲基三乙氧基硅烷、(二乙基 氨基甲基)甲基二乙氧基硅烷、甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、环氧丙氧 基丙基三甲氧基硅烷、环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、环氧丙氧基丙基 甲基二乙氧基硅烷、环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧 基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、 甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷(TMOS)、四 乙氧基硅烷(TEOS)、四丙氧基硅烷、甲基三(甲基乙基酮肟)硅烷 (MOS)、甲基三(丙酮肟)硅烷、甲基三(甲基异丁基酮肟)硅烷、 二甲基二(甲基酮肟)硅烷、三甲基(甲基乙基酮肟)硅烷、乙烯基三 (甲基乙基酮肟)硅烷(VOS)、甲基乙烯基二(甲基乙基酮肟)硅烷、 甲基乙烯基二(环己酮肟)硅烷、乙烯基三(甲基异丁基酮肟)硅烷、 苯基三(甲基乙基酮肟)硅烷(POS)、甲基三乙酰氧基硅烷、四乙酰 氧基硅烷、二乙基硅烷和二苯基硅烷。

5.权利要求2的湿蚀刻溶液，其中所述表面活性剂选自：醇、胺、 酰胺、酯、酮、醛、羧酸和醚。

6.权利要求2的湿蚀刻溶液，其中所述铜腐蚀抑制剂选自：巯基 苯并噻唑、2-巯基苯并咪唑、5-氯苯并三唑、5-甲基苯并三唑、苯 并三唑、羧基苯并三唑、甲苯基三唑、1-苯基-1H-四唑-5-硫醇和 十六烷基三甲基溴化铵。

7.权利要求1的湿蚀刻溶液，其中所述混合物包含：0.001wt％到 49wt％的所述稀HF与0.0001wt％到60wt％的所述含硅前体。

8.权利要求1的湿蚀刻溶液，其中所述产物包含氟化硅、硅酸和 水，所述湿蚀刻溶液的pH值为1-3。