[发明专利]表面处理装置有效
| 申请号: | 200780010345.3 | 申请日: | 2007-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN101405845A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
| 发明(设计)人: | 日野守;今井克广;竹内裕人;中森勇一;高桥英则;屋代进 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;C23C16/455;B01J19/08;H05H1/24 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱 丹 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及向被处理物喷出处理气体,进行被处理物的清洗、表面改性、蚀刻、抛光、成膜等表面处理的装置,包括等离子体表面处理装置或热CVD装置等。尤其,涉及在等离子体处理中,将被处理物配置于电极间空间的外部,朝向其喷出在电极间形成的等离子体的所谓的远程式等离子体处理装置。
背景技术
在液晶面板等平板显示器的制造领域等中,近年来,被处理物处于大型化的倾向,表面处理装置也寻求针对大型被处理物的应对。
在专利文献1、2中记载了设置两列将多个电极与长边方向平行地排列而成的电极列,在这些两个电极列之间形成了间隙状放电空间的等离子体表面处理装置。即使各电极短,也能够将间隙状放电空间设成与大型被处理物的宽度尺寸对应的长度。通过将用该间隙状放电空间等离子体化的处理气体喷到被处理物,能够一次性处理被处理物的整个宽度。被处理物在与电极的长边方向(间隙状放电空间的延伸方向)正交的方向上被输送。
在专利文献3、4中记载了将多个电极在与长边方向正交的方向上排列而成的电极模块沿所述长边方向设置前后两级的技术。在给电极模块的相邻的电极之间形成间隙状放电空间。前级的电极模块和后级的电极模块在上述电极的排列设置方向上错开排列树脂间距的一半程度。从而,前级和后级的间隙状放电空间也错开一半间距。被处理物在各电极的长边方向进而各间隙状放电空间的长边方向上被输送。
专利文献1:日本特开2005—302685号公报
专利文献2:日本特开2005—302686号公报
专利文献3:日本特开2005—135892号公报
专利文献4:日本特开2005—333096号公报
在将包含电极模块等的多个单元一直线排列时,需要在面向相邻的单元的端部不设置配线或配管,或在所述端部以外的部分设置台架的支承部,不是将通常的单元单单排列多个。
发明内容
本发明的目的在于提供能够以简单的结构应对大型的被处理物的表面处理装置。
为了解决上述问题,本发明是一种表面处理装置,其将处理气体喷到被处理物的表面,处理该表面,其特征在于,具备:
第一单元,其具有用于喷出所述处理气体的第一孔列,该第一孔列在第一方向上延伸;
第二单元,其具有用于喷出所述处理气体的第二孔列,该第二孔列在与所述第一孔列相同的方向上延伸;
移动机构,其使所述被处理物相对于所述第一、第二单元,在与所述第一方向正交的第二方向上相对移动,其中
所述第一单元和第二单元配置为,相互在所述第一方向上错开,且在所述第二方向上错开。
由此,即使在被处理物为大型的情况下,也能够以简单的结构进行表面处理。
优选所述第一孔列的长边方向的第二单元侧的端部、和所述第二孔列的长边方向的第一单元侧的端部在从所述第二方向观察的情况下,在所述第一方向上重叠。
由此,在各单元的孔列端部中,即使由于处理气体的减速或失活而处理能力比孔列中央部降低的情况下,也能够通过使两个单元重叠而使该重叠部分处的处理能力成为将两个低的处理能力加起来的大小,得到与各单元的孔列中央部相等的处理能力。
优选还具备:台架;连结机构,其将所述第一单元连结于该台架,且能够在所述第一方向上调节所述第一单元的位置。
由此,能够吸收沿第一方向的组装误差,或调节上述重叠的宽度。
优选还具备:台架;连结机构,其将所述第一单元连结于该台架,且能够在与所述第一方向及第二方向正交的第三方向上调节所述第一单元的位置。
由此,能够吸收沿第三方向的组装误差,或调节单元和被处理物之间的距离(工作距离),或矫正单元间的个体差异等引起的第一处理区域的处理程度和第二处理区域的处理程度的不均一。
优选还具备:台架;连结机构,其将所述第一单元连结于该台架,且能够对所述第一单元调节从所述第一方向观察的角度。
由此,能够吸收从第一方向观察的角度误差,或调节向被处理物喷出气体的方向,或矫正单元间的个体差异等引起的第一处理区域的处理状态和第二处理区域的处理状态的不均一。
优选还具备:台架;连结机构,其将所述第一单元连结于该台架,且能够对所述第一单元调节从所述第二方向观察的角度。
由此,能够吸收从第二方向观察的角度误差,或调节向被处理物喷出气体的方向,或矫正单元间的个体差异等引起的第一处理区域的处理状态和第二处理区域的处理状态的不均一。
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