[发明专利]借助于电子改变三维成型件的特性的装置和方法以及所述方法的应用有效
| 申请号: | 200780009686.9 | 申请日: | 2007-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN101416267A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
| 发明(设计)人: | R·巴特尔;V·柯克霍夫;G·马陶什;O·罗德;J·库巴什 | 申请(专利权)人: | 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 |
| 主分类号: | H01J33/00 | 分类号: | H01J33/00;A61L2/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曹 若;梁 冰 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 借助于 电子 改变 三维 成型 特性 装置 方法 以及 应用 | ||
1.用于借助于电子改变三维成型件(2)的特性的装置,包括至 少一个用于产生加速的电子的电子加速器(3a;3b)和两个电子逸出 窗(5a;5b),其中所述两个电子逸出窗(5a、5b)彼此对置布置, 其特征在于,所述两个电子逸出窗(5a;5b)和至少一个反射器(7a1; 7a2;7b1,7b2)限制着处理室,在该处理室中能够向所述成型件(2) 的表面或者边缘层加载电子,其中借助于传感器系统能够至少关于一 个空间的维检测在所述处理室内部的能量密度分布。
2.按权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电子逸出窗(5a; 5b)的表面构造为平坦的。
3.按权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述电子逸出 窗(5a;5b)的表面彼此平行定向。
4.按权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述电子逸出 窗的表面彼此间具有一个角度。
5.按权利要求1所述的装置,其特征在于,至少一个电子逸出 窗的表面构造为朝向所述成型件凹入的。
6.按权利要求1所述的装置,其特征在于,至少一个电子逸出 窗的表面与所述成型件的几何形状相匹配。
7.按权利要求1所述的装置,其特征在于第一机构,借助于该 第一机构能够控制通过至少一个电子逸出窗(5a;5b)的表面发出的 电子能量密度,从而通过所述电子逸出窗(5a;5b)的各个部分区域 发出不同的电子能量密度。
8.按权利要求1所述的装置,其特征在于,至少两个反射器(7a1、 7a2;7b1、7b2)镜像对称地布置在所述处理室的对置的侧面上。
9.按权利要求8所述的装置,其特征在于,所述反射器(7a1; 7a2;7b1;7b2)是用于对所述处理室内部的能量密度分布进行检测 的传感器系统的组成部分。
10.按权利要求9所述的装置,其特征在于,能够在至少两个反 射器或者构成每个反射器的部分反射器上相对于地电位或者其它的 电位检测电压。
11.按权利要求8所述的装置,其特征在于,能够检测沿直角坐 标系的x、y和/或z方向的能量密度分布。
12.按权利要求1所述的装置,其特征在于,至少一个电子逸出 窗可以根据所述成型件的几何形状和/或所述成型件在所述电子逸出 窗之间的位置运动。
13.按权利要求1所述的装置,其特征在于,至少一个电子逸出 窗(5a;5b)构造为真空密封的膜。
14.按权利要求1所述的装置,其特征在于,至少一个电子逸出 窗构造为电子加速器和处理室之间的透气的压力级装置。
15.按权利要求1所述的装置,其特征在于传感器系统,借助于 该传感器系统可以根据成型件是否处于处理室中将所述电子发生器 的功率调节到一个过程所特有的数值上。
16.按权利要求1所述的装置,其特征在于第二机构,借助于该 第二机构能够控制电子从电子逸出窗中逸出的逸出方向。
17.按权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电子加速器构 造为带状辐射器或者轴向辐射发生器。
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