[发明专利]磷光有机发光器件无效
| 申请号: | 200780009581.3 | 申请日: | 2007-02-02 |
| 公开(公告)号: | CN101405892A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
| 发明(设计)人: | N·康韦;I·格里齐 | 申请(专利权)人: | CDT牛津有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 任宗华 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磷光 有机 发光 器件 | ||
技术领域
本发明涉及磷光有机发光器件,全色显示器和阴极在其内的用途。
背景技术
有机发光器件(OLED)通常包括阴极、阳极,和在阳极与阴极之间 的有机发光区域。发光有机材料可包括小分子材料,例如US4539507 中所述的小分子材料,或者聚合物材料,例如在PCT/WO90/13148中所 述的那些聚合物材料。阴极将电子注入到发光区域内和阳极注入空穴。 电子和空穴重组生成光子。
图1示出了OLED的典型截面结构。典型地在用透明阳极2,例如 氧化铟锡(ITO)层涂布的玻璃或塑料衬底上制造OLED。用至少一层电 致发光有机材料3和阴极材料4的薄膜覆盖I TO涂布的衬底。可将其 他层加入到该器件中,例如改进电极和电致发光材料之间的电荷传输。
在显示器应用中使用OLED存在增加的兴趣,这是因为它们相对于 常规的显示器具有潜在的优势。OLED具有相对低的操作电压和功耗, 且可容易地加工,以生产大面积的显示器。在实用的程度上,需要生 产明亮且有效地操作,而且还能可靠地生产和稳定使用的OLED。
在OLED内阴极的结构是本领域中考虑的一个方面。在单色OLED 的情况下,阴极可以因其最佳的性能选择采用单一的电致发光有机材 料。然而,全色OLED包括红、绿和蓝光有机发光材料。这种器件要求 能注入电子到所有这三种发光材料内的阴极,即“共同(common)阴极”。
阴极4选自功函允许注入电子到电致发光层内的材料。其他因素 影响阴极的选择,例如阴极和电致发光材料之间可能的负面相互作用。 阴极可由单一材料,例如铝层组成。或者,它可包括多种金属,例如 WO98/10621中所述的钙和铝的双层,在WO98/57381,应用物理通讯 (Appl.Phys.Lett.)2002,81(4),634和WO 02/84759中公开的元素钡, 或者电介质材料的薄层,以辅助电子注入,例如在WO00/48258中公开 的氟化锂,或在应用物理通讯(Appl.Phys.Lett.)2001,79(5),2001 中公开的氟化钡。为了提供电子有效地注入到器件内,阴极的功函优 选小于3.5电子伏特,更优选小于3.2电子伏特,最优选小于3电子 伏特。
位于有机发射层(或有机电子传输层,若存在的话)和金属阴极之 间的金属氟化物层可导致器件效率的改进,参见例如应用物理通讯 (Appl.Phys.Lett.)70,152,1997。认为这一改进来自于在聚合物/ 阴极界面处阻挡层高度的下降,从而允许改进的电子注入到有机层内。 在应用物理通讯(Appl.Phys.Lett.)79(5),563-565,2001中提出 了使用LiF/Al阴极时的器件劣化机理,其中LiF和Al可反应释放Li 原子,Li原子可迁移到电致发光层内并掺杂电致发光材料。然而,发 明人已发现,LiF/Al阴极相对稳定,其主要缺点是效率相对低(尤其 当作为共同阴极使用时)。更加有效的布局使用三层LiF/Ca/Al,这在 合成金属(Synth.Metals)2000,111-112,第125-128页中以共同阴极 形式公开。然而,在WO 03/019696中报道了对于含这一阴极和含硫的 荧光电致发光材料,例如含三聚体重复单元噻吩-苯并噻二唑-噻吩 的红色发射聚合物的器件来说,劣化尤其明显。WO 03/019696提出使 用钡基材料,而不是LiF,并公开了对于含硫的这些荧光电致发光材 料来说的三层结构BaF2/Ca/Al。在WO 03/019696中还提及了使用其他 钡化合物,其中包括卤化钡和氧化钡的可能性。
US 6563262提出使用金属氧化物(例如氧化钡)与铝的双层用于荧 光聚(对亚苯基亚乙烯基)发射材料(PPV)。
合成金属(Synth.Metals)122(2001)第203-207页公开了结构为 ITO/NPB/EL/BCP/Alq3/Li2O/Al的磷光OLED,其中NPB为有机空穴传 输材料层,EL是含主体(host)材料CBP和磷光掺杂剂材料Ir(ppy)3的有机电致发光层,BCP是有机空穴阻挡材料层,和Alq3是有机电子 传输材料层。这一文章公开了通过选择NPB、CBP+Ir(ppy)3和Alq3层的厚度,优化层界面之间的光学距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





