[发明专利]用于陶瓷MCM C4保护的新颖的可再加工的底部填充有效
| 申请号: | 200780009519.4 | 申请日: | 2007-06-20 |
| 公开(公告)号: | CN101405834A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
| 发明(设计)人: | J·T·科芬;S·P·奥斯特兰德;F·L·蓬佩奥;吴佳俐 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C08G77/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于 静;李 峥 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 陶瓷 mcm c4 保护 新颖 再加 底部 填充 | ||
1.一种用于C4连接保护的可再加工的底部填充和周边密封的组合物(16),包括:
包含非反应基团的非交联性和低交联性基础有机材料中的至少一种;
至少一种直链交联性成分;
用于所述交联性成分的催化剂;以及
填充物。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述组合物不包括填充物。
3.根据权利要求1或2所述的组合物,其中所述基础有机材料是直链聚二甲基硅氧烷。
4.根据权利要求3所述的组合物,其中所述交联性成分是乙烯基封端的直链硅氧烷或氢封端的直链硅氧烷。
5.根据权利要求3所述的组合物,其中包括在所述组合物中的所述交联性成分是乙烯基封端的直链硅氧烷和氢封端的直链硅氧烷。
6.根据权利要求4或5所述的组合物,其中所述催化剂是环乙烯基硅氧烷中的Pt。
7.根据权利要求6所述的组合物,其中当所述组合物包括填充物时,所述填充物是硅石。
8.根据权利要求7所述的组合物,其中所述填充物是硅烷表面处理的硅石。
9.根据权利要求1或2所述的组合物,其中所述基础有机材料选自聚氨基甲酸酯、矿物油、聚丙烯酸盐、聚丙烯酸酯、CTBN改性的聚酯、聚苯乙烯、异戊二烯、环氧改性的硅氧烷中的一种或几种。
10.根据权利要求9所述的组合物,其中所述交联性成分选自酯封端的、碳环形酐封端的、乙烯基封端的直链或支链的烷烃;非环式酯或丙烯酸酯;聚酰胺;聚酰亚胺和聚氨基甲酸酯。
11.一种用于具有C4连接的电子部件(10)的用于形成底部填充和周边密封的方法,包括以下步骤:
提供包含了芯片(11b)和C4焊料连接(13)的电子部件(10);
使用可再加工的底部填充组合物(16)底部填充所述接合的芯片和在所述芯片周围形成周边密封(30),所述组合物(16)包括:
包括非反应基团的非交联性或低交联性基础有机材料;
至少一种直链交联性成分;
用于所述交联性成分的催化剂;以及
填充物;
固化所述组合物;以及
通过下列步骤再加工所述底部填充的电子部件:去除所述组合物,将芯片从所述电子部件分离,并通过将另一芯片接合到所述电子部件并底部填充所述接合的另一芯片以及在所述接合的另一芯片周围形成周边密封来替换所述芯片。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述组合物不包括填充物。
13.根据权利要求11或12所述的方法,其中所述基础有机材料是直链聚二甲基硅氧烷。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述交联性成分是乙烯基封端的直链硅氧烷或氢封端的直链硅氧烷。
15.根据权利要求13所述的方法,其中包括在所述组合物中的所述交联性成分是乙烯基封端的硅氧烷和氢封端的硅氧烷。
16.根据权利要求14或15所述的方法,其中所述催化剂是环乙烯基硅氧烷中的Pt。
17.根据权利要求16所述的方法,其中当所述组合物包括填充物时,所述填充物是硅石。
18.根据权利要求17所述的方法,其中所述填充物是硅烷表面处理的硅石。
19.根据权利要求11或12所述的方法,其中所述基础有机材料选自聚氨基甲酸酯矿物油、聚丙烯酸盐、聚丙烯酸酯、CTBN改性的聚酯、聚苯乙烯/异戊二烯、环氧改性的硅氧烷中的一种或几种。
20.根据权利要求19所述的方法,其中所述交联性成分选自酯封端的、碳环形酐封端的、乙烯基封端的直链或支链的烷烃;非环式酯或丙烯酸酯;聚酰胺;聚酰亚胺和聚氨基甲酸酯。
21.根据权利要求11或12所述的方法,其中所述电子部件是多芯片陶瓷模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





