[发明专利]电致发光器件

权利要求书

1.一种电致发光器件，依次包括：包括有源电路的不透明的半导体衬底； 阳极；氧化物材料层；空穴传输层；发光聚合物层；透明的阴极；以及封装物。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述电路包括CMOS(互补 型金属氧化物半导体)电路。

3.如权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述阳极包括铝。

4.如权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述阳极包括钛。

5.如以上权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述氧化物材料 包括金属氧化物。

6.如以上权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述氧化物材料 包括过渡金属氧化物。

7.如权利要求6所述的器件，其特征在于，所述氧化物材料是从钒(V)、 钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、锆(Zr)、铜(Cu)、镍(Ni)及钌(Ru)的氧化物中选择的。

8.如权利要求5所述的器件，其特征在于，所述氧化物材料是从铝(Al)、 铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、铅(Pb)的氧化物或镧系元素或锕系元素的氧化物中选 择的。

9.如以上权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述氧化物材料 是氧化物的混合物。

10.如以上权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述氧化物材料 是半导电的。

11.如以上权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述氧化物材料 层的厚度为1至15nm，尤其约为5nm。

12.如以上权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述空穴传输层 包括一旦被涂覆就可不溶于芳香族溶剂的高空穴迁移率的有机材料。

13.如权利要求12所述的器件，其特征在于，所述空穴传输层包括TFB (聚[(9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-共-(4，4′-(N-(4-仲丁基苯基))二苯胺)])的可交联 种类。

14.如以上权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述发光聚合物 层是白光发射聚合物层。

15.如以上权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述空穴传输层 的厚度介于20nm和50nm之间。

16.如以上权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述发光聚合物 层的厚度介于40nm和80nm之间。

17.如以上权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述氧化物材料 层、所述空穴传输层以及所述发光聚合物层的总厚度介于80nm和130nm之间。

18.一种形成电致发光器件的方法，包括以下步骤：

a.提供具有金属阳极的半导体衬底；

b.在所述阳极上沉积热力学稳定的氧化物材料；

c.用共轭聚合物空穴传输层涂覆所述氧化物；

d.交联所述空穴传输层；

e.用发光聚合物层涂覆所述空穴传输层；

f.在所述发光聚合物上涂覆阴极；以及

g.封装所述器件。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，在步骤(a)之后，所述阳极 被清洗以去除自然氧化物。

20.如权利要求18或19所述的方法，其特征在于，在步骤(b)之后，所述 氧化物材料被退火或暴露于等离子体。

21.如权利要求18、19或20所述的方法，其特征在于，所述氧化物材料 层的厚度为1至15nm，尤其约为5nm。

22.如权利要求18至21中任一项所述的方法，其特征在于，所述空穴传 输层的厚度介于20nm和50nm之间。

23.如权利要求18至22中任一项所述的方法，其特征在于，所述发光聚 合物层的厚度介于40nm和80nm之间。

24.如权利要求18至23中任一项所述的方法，其特征在于，所述氧化物 材料层、所述空穴传输层以及所述发光聚合物层的总厚度介于80nm和130nm 之间。