[发明专利]纳米基光电子器件

权利要求书

1.一种装置，该装置包括：

许多个预制的无机纳米晶体；

至少一种非烃、非晶体阻隔材料，其中，所述的许多个预制的无机纳米晶体与非烃、非晶体阻隔材料电接触，以及势能垒靠至少一种类型载流子在非晶体、非烃阻隔材料与许多个预制的无机纳米晶体之间迁移而存在；以及

至少一导电材料，其与阻隔材料电接触。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述的许多个预制的无机纳米晶体在第一层内形成，所述的第一层在第一非烃、非晶体阻隔材料的第二层的顶部且与第二层电接触，以及所述的第二层在第一导电材料的第三层的顶部且与第三层电接触。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，第二非烃、非晶体阻隔材料的第四层在许多个预制的无机纳米晶体的第一层的顶部形成并与许多个预制的无机纳米晶体的第一层电接触。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，第二导电材料的第五层在第四层的顶部形成，其中，第五层与第四层电接触。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，导电材料的第三和第五层中的至少一层是至少一个频率的电磁辐射可穿透的，其中，所述的至少一个频率在紫外线到红外线的范围内。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述的纳米晶体层吸收集中于至少一个波长的光。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，至少一个频率的电磁辐射穿过透明的导电材料，并且被预制的无机非晶体材料吸收，以在第三与第五层之间产生电流流动。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，在第三层与第五层之间的电流的流向由一内建电势确定，所述的内建电势由不同功函数的电接触区形成。

9.如权利要求7所述的装置，其特征在于，在第三层与第五层之间的电流的流向由一内建电势确定，所述的内建电势由第二层和第四层的材料的不同电子亲和势形成。

10.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述的纳米晶体层是一复合层，该层由非晶体、非烃阻隔材料分开的纳米晶体层形成。

11.如权利要求6所述的装置，其特征在于，吸收波长的分布由纳米晶体的尺寸、形状和材料中的至少一个因素决定的。

12.如权利要求4所述的装置，其特征在于，至少一附加材料层出现在至少一层对之间，所述的层对包括第二和第三层与第四和第五层，其中，所述的附加材料层便于层之间的电接触。

13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述的非烃、非晶体阻隔材料包括多层不同的组合物。

14.如权利要求5所述的装置，其特征在于，迁移到许多无机纳米晶体的载流子复合并产生电磁辐射。

15.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述的非烃、非晶体阻隔材料包括含氮或含氧的化合物。

16.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述的纳米晶体包括半导体材料。

17.如权利要求1所述的装置，其特征在于，至少一种导电透明材料包括氧化铟锡。

18.如权利要求1所述的装置，其特征在于，在非烃、非晶体阻隔材料与纳米晶体之间插入一层或多层材料，其中，所述的一层或多层材料便于非烃、非晶体阻隔材料与纳米晶体之间的电接触。

20.一种装置，其包括：

至少一预制的无机纳米晶体；

至少一非烃、非晶体阻隔材料，其中所述的至少一预制的无机纳米晶体与所述的非烃、非晶体阻隔材料电接触，以及势能垒靠至少一种类型载流子在非晶体、非烃阻隔材料与至少一预制的无机纳米晶体之间迁移而存在。

21.如权利要求20所述的装置，其特征在于，所述的至少一预制的无机纳米晶体从纳米晶体的胶体溶液中得到。

22.如权利要求20所述的装置，其特征在于，所述的至少一预制的无机纳米晶体的形状选自由球形、椭圆形、杆形、线形和板形组成的组。

23.如权利要求20所述的装置，其特征在于，所述的至少一预制的无机纳米晶体的能态部分地是由至少一维的量子限制确定。