[发明专利]用于辐射检测的半导体器件

权利要求书

1.一种用于辐射检测的半导体器件(11)，包括：由衬底半导体材料构成的衬底区域(1)以及在所述半导体器件(11)的表面上的检测区域(3)，在该检测区域(3)中，当电磁辐射(L)入射到所述半导体器件(11)上时产生电荷载流子，并且检测第一导电类型的电荷载流子，该半导体器件(11)还包括阻挡区域(2，5，14)，该阻挡区域是所述衬底区域(1)和所述检测区域(3)之间的障碍物，该障碍物用于限制电离辐射(X)透射到所述衬底区域(1)中而在衬底区域(1)中产生的所述第一导电类型的电荷载流子，该半导体器件(11)还包括由所述第一导电类型的半导体材料构成的泄漏区域(6)，其延伸到所述衬底区域(1)中并与所述检测区域(3)的侧面区域和所述阻挡区域(2，5，14)的侧面区域相邻。

2.如权利要求1所述的器件，其中所述阻挡区域(2，5)包括半导体材料。

3.如权利要求2所述的器件，其中所述阻挡区域(2)和所述衬底区域(1)为与所述第一导电类型相反的第二导电类型，其中所述阻挡区域(2)具有比所述衬底区域(1)高的掺杂水平。

4.如权利要求2所述的器件，其中所述阻挡区域(2，5)还包括降低所述阻挡区域(2，5)的带隙的另一半导体材料。

5.如权利要求4所述的器件，其中所述阻挡区域的所述半导体材料包括硅，而所述阻挡区域的所述另一半导体材料包括硅和锗的混合物。

6.如权利要求1所述的器件，其中所述检测区域(3)的与所述泄漏区域(6)相邻的侧面区域为与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

7.如权利要求2所述的器件，其中所述衬底区域(1)和所述阻挡区域(5)为与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述阻挡区域(5)位于所述检测区域(3)和另一阻挡区域(4)之间，该另一阻挡区域(4)包括所述第一导电类型的第二半导体材料，并位于所述阻挡区域(5)和所述衬底区域(1)之间。

8.如权利要求7所述的器件，其中所述泄漏区域(6)还与所述另一阻挡区域(4)的侧面区域相邻。

9.如权利要求1所述的器件，其中所述阻挡区域(14)包括绝缘材料。

10.如权利要求9所述的器件，其中所述检测区域(3)包括与所述第一导电类型相反的第二导电类型的界面区(13)，其与所述阻挡区域(14)相邻。

11.如权利要求7或9所述的器件，其中所述衬底区域(1)具有高于10¹⁶原子/cm³的掺杂水平。

12.如权利要求1所述的器件，其中所述衬底区域(1)包括减少所述衬底区域(1)中的所述电荷载流子的寿命的复合区。

13.如权利要求12所述的器件，其中所述复合区是通过氧原子的扩散和沉积形成的。