[发明专利]光学记录介质有效
| 申请号: | 200780008367.6 | 申请日: | 2007-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN101400522A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
| 发明(设计)人: | 出口浩司;日比野荣子;大仓浩子;伊藤和典;让原肇;岩佐博之 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
| 主分类号: | B41M5/26 | 分类号: | B41M5/26;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/254;G11B7/257 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民;路小龙 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光学 记录 介质 | ||
1.光学记录介质,包括:
第一保护层,
记录层,
第二保护层,和
反射层,
当从用于记录和复制的激光束照射一侧观看时,这些层以该顺序形成,
其中所述记录层包含由下列组成式(1-1)、组成式(1-2)和组成式(1-3)中任一 种表示的相变材料;和所述第二保护层包含选自氧化锌、氧化铟、氧化锡及其混 合物、由下列组成式(2)表示的材料和由下列组成式(3)表示的材料中的至少一种,
Inα1Sbβ1X1γ1---组成式(1-1)
其中X1是选自Ge、Te、Zn和Mn的至少一种;α1、β1和γ1分别表示原 子比,其中0.10≤α1≤0.25、0.65≤β1≤0.80和0.04≤γ1≤0.15,
Gaα2Sbβ2Snγ2Geδ2X2ε2---组成式(1-2)
其中X2是选自Te、Zn、Mn和In的至少一种;α2、β2、γ2、δ2和ε2分别 表示原子比,其中0.04≤α2≤0.09、0.56≤β2≤0.79、0.05≤γ2≤0.30、0.03≤δ2≤0.19和 0≤ε2≤0.09,
Mnα3Sbβ3Snγ3Geδ3X3ε3---组成式(1-3)
其中X3是选自Te、In、Zn和Bi的至少一种;α3、β3、γ3、δ3和ε3分别 表示原子比,其中0.04≤α3≤0.09、0.56≤β3≤0.79、0.05≤γ3≤0.29、0.03≤δ3≤0.23和 0≤ε3≤0.09,
ZnO-Al-Y[(100-α4-β4)∶α4∶β4]---组成式(2)
其中Y是选自Mn、Ge和Ti的至少一种;α4和β4分别表示质量百分比, 其中0.5≤α4≤10.0和0≤β4≤25.0,
ZnO-Al2O3-Z[(100-α5-β5)∶α5∶β5]---组成式(3)
其中Z表示氧化锰、氧化锗、二氧化钛及其混合物中的任一种;α5和β5 分别表示质量百分比,其中0.5≤α5≤10.0和0≤β5≤30.0,
其中所述第二保护层的电阻率为1.0×10-4Ω·cm到1.0×101Ω·cm。
2.根据权利要求1所述的光学记录介质,进一步包括透明基底,其中当从用于 记录和复制的激光束照射一侧观看时,至少所述第一保护层、所述记录层、所述 第二保护层和所述反射层以该顺序在所述透明基底上形成。
3.根据权利要求1所述的光学记录介质,进一步包括透明覆盖层,其中当从 用于记录和复制的激光束照射一侧观看时,所述透明覆盖层、所述第一保护层、 所述记录层、所述第二保护层和所述反射层以该顺序在基底上形成。
4.根据权利要求1到3任一项所述的光学记录介质,其中所述记录层包含由 由下列组成式(1-1)表示的相变材料;并且所述第二保护层包含选自氧化锌、氧化 铟、氧化锡和它们的混合物中的至少一种,
Inα1Sbβ1X1γ1---组成式(1-1)
其中X1是选自Ge、Te、Zn和Mn的至少一种;α1、β1和γ1分别表示原 子比,其中0.10≤α1≤0.25、0.65≤β1≤0.80和0.04≤γ1≤0.15。
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