[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

半导体层，包含发光层；

由凹凸构成的凹凸部，该凹凸以比从所述发光层射出的光在半导体层中的波长大的间距被形成于所述半导体层的光取出一侧的面的整个区域或部分区域上；以及

反射层，被形成于与所述光取出一侧的面相反一侧的所述半导体层的面上，该反射层的反射率在90％以上，其中，

所述反射层包括：

铝、银或以银为主成分的银合金的金属层；以及

层叠在所述金属层上的DBR，其特征在于，

所述DBR，以使从所述发光层射出的光中的相对于法线方向的角度在30至90度的范围内的光在所述反射层中的反射率增大的方式，设定构成所述DBR的各层的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述凹凸部的凹凸被周期性地或不规则地形成。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述凹凸部被赋予具有透镜作用的形状。

4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：所述具有透镜作用的形状为菲涅耳透镜形状。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：

所述半导体层包含GaN系列材料，

所述反射层包含以银为主成分的合金。

6.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述反射层包括：

被形成于所述半导体层的面上的导电性氧化物层；

被层叠在所述导电性氧化物层上的金属层，所述金属层包含银、铝、以银为主成分的银合金或以铝为主成分的铝合金；以及

介于所述半导体层与所述导电性氧化物层之间、呈网状或岛状的白金层。

7.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述反射层包括DBR。

8.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述反射层包括：

被形成于所述半导体层的面上的导电性氧化物层；

被层叠在所述导电性氧化物层上的DBR；

被层叠在所述DBR上的金属层，所述金属层包含银、铝、以银为主成分的银合金或以铝为主成分的铝合金；以及

介于所述半导体层与所述导电性氧化物层之间、呈网状或岛状的白金层。

9.根据权利要求8所述的发光元件，其特征在于：所述DBR呈网状或岛状。

10.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述反射层包括光子晶体。

11.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：包含所述凹凸部的底部的面和与所述凹凸部相反一侧的所述半导体层的面之间的距离，为从所述发光层射出的光在所述半导体层中的波长的1至5倍。

12.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于还包括：

被形成于所述半导体层的面上的n型电极，该n型电极的反射率在80％以上，其中，

所述反射层作为p型电极，与所述n型电极成组。

13.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于，所述n型电极包括：

被形成于所述半导体层的面上的导电性氧化物层；

被层叠在所述导电性氧化物层上的金属层，所述金属层包含银、铝、以银为主成分的银合金或以铝为主成分的铝合金；以及

介于所述半导体层与所述导电性氧化物层之间、呈网状或岛状的白金层。

14.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于，所述n型电极包括：

被形成于所述半导体层的面上的导电性氧化物层；

被层叠在所述导电性氧化物层上的DBR；

被层叠在所述DBR上的金属层，所述金属层包含银、铝、以银为主成分的银合金或以铝为主成分的铝合金；以及

介于所述半导体层与所述导电性氧化物层之间、呈网状或岛状的白金层。

15.根据权利要求14所述的发光元件，其特征在于：所述DBR呈网状或岛状。

16.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于还包括：被形成于所述半导体层的光取出一侧的面上，将在所述半导体层发出的光的波长进行变换并放射的波长变换层。

17.一种用于制造权利要求1至16中的任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于：

通过蒸镀与所述半导体层的折射率实质上相同的材料，形成所述凹凸部。