[发明专利]包括p掺杂有机半导体的电子元件

权利要求书

1.一种有机发光二极管，包括用于空穴注入和输运的p掺杂层(3)，所述p掺杂层(3)包括基于小分子的有机半导体材料，

其特征是所述掺杂剂选自由硼、碳、硅、钴、镍、铜、锗、铑、钯形成的组。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征是所述p掺杂剂和所述有机半导体材料之间的摩尔比可以在1/1000和10/1之间变动。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征是所述p掺杂层呈现大于或等于30nm的厚度。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征是所述p掺杂层设置有未掺杂的边缘。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征是所述p掺杂层邻近较小厚度的未掺杂层。