[发明专利]配电用非晶态变压器有效
| 申请号: | 200780007097.7 | 申请日: | 2007-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN101395682A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
| 发明(设计)人: | 福井和元;山下晃司;小川雄一;直江昌武;吉泽克仁 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立产机系统 |
| 主分类号: | H01F27/24 | 分类号: | H01F27/24;H01F30/00;H01F1/153 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郭 放 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 配电 晶态 变压器 | ||
技术领域
本发明涉及具备包括非晶态合金薄带的铁芯和绕组的变压器,特 别涉及特征在于铁芯的材质以及铁芯的退火处理的配电用非晶态变 压器。
背景技术
以往,已知使用非晶态合金作为铁芯材料的非晶态变压器。利用 该非晶态变压器,将非晶态合金箔带层叠并弯曲成U字形而使两个前 端部对接或重合为卷铁芯,与以往的使用了电磁钢板的变压器相比, 可以减小铁损。
但是,在卷铁芯结构中,如果将材料弯曲,则产生应力,该应力 会导致磁特性恶化,所以需要将铁芯在磁场中实施退火(anneal)处 理,以释放应力来改善特性。这不仅仅对于非晶态合金,在电磁钢板 中也是必要的;但由于进行退火处理,原材料内部开始再结晶化,而 导致脆化。此时,退火条件与合金的成分存在关系,对于作为现有材 料的Metglas(R)2605SA1,在超过330℃的温度下,以30分钟以上 进行退火。另外,在专利文献1中,以其独自的公式确定了该退火条 件。
专利文献1:日本特开昭58-34162号公报
发明内容
由本申请申请人之一,以与现有的一般材料不同的成分,开发出 了饱和磁通密度高且更低损失的非晶态合金,并提出了专利申请(日 本特愿2005-62187),但对于该新材料的专利申请,主要叙述了成 分,而未涉及详细的退火条件。但是,由于成分不同,所以上述非晶 态合金有可能与现有的退火处理不同。
因此,本发明的目在于提供一种选定最适合于新材料的退火条 件,且与使用了现有的非晶态合金的变压器相比低损失的配电用非晶 态变压器。
本发明的配电用非晶态变压器具备包括非晶态合金薄带的铁芯 和绕组,其中,上述铁芯被实施了退火处理,在该铁芯成形后的退火 时,铁芯中心部温度为300~340℃、且保持时间为0.5h以上。
另外,关于本发明的配电用非晶态变压器中的上述铁芯,铁芯成 形后的退火时的磁场强度为800A/m以上。
另外,本发明的上述非晶态合金薄带的非晶态合金优选包括 FeaSibBcCd(Fe:铁,Si:硅,B:硼,C:碳)和不可避免的杂质, 其中合金成分以原子%表示为80≦a≦83%、0<b≦5%、12≦c≦18 %、0.01≦d≦3%;利用该成分的非晶态合金薄带,可以制成高Bs(饱 和磁通密度)和在矩形性方面优良、且即使退火温度低其特性也比现 有材料优良的磁芯。优选将如下的材料使用为配电用非晶态变压器用 的非晶态合金薄带:针对非晶态合金薄带的自由面、辊面,如果从它 们的表面到内部测定c的浓度分布,则在2~20nm的深度范围内存在 C的浓度分布的峰值。
以下示出限定成分的理由。以下,将原子%简记成%。
表示Fe量的a如果少于80%,则无法得到作为铁芯材料的充分 的饱和磁通密度;另外,如果多于83%,则热稳定性降低,无法制造 出稳定的非晶态合金薄带,所以优选为80≦a≦83%。另外,也可以 将Fe量的50%以下用Co以及Ni的1种或2种来置换,为了得到高 饱和磁通密度,优选为关于Co将置换量设为40%以下,关于Ni将 置换量设为10%以下。
由于Si是对非晶态形成能有贡献的元素,为了提高饱和磁通密 度,表示Si量的b优选设为5%以下。
表示B量的c对非静态形成能的贡献最大,在少于8%时,热稳 定性降低,在多于18%时,无法得到非晶态形成能等的改善效果。另 外,为了确保高饱和磁通密度的非晶态的热稳定性,优选为12%以上。
C对矩形性以及饱和磁通密度的提高具有效果,表示C量的d 在少于0.01%时,几乎没有效果,而在多于3%时,造成脆化、热稳 定性降低。
另外,也可以包含0.01~5%的Cr、Mo、Zr、Hf、Nb的1种以 上的元素;作为无法避免的杂质,也可以含有0.50%以下的Mn、S、 P、Sn、Cu、Al、Ti中的至少1种以上的元素。
另外,对于本发明的配电用非晶态变压器中的上述非晶态合金薄 带,以原子%表示Si量的b和表示C量的d满足b≦(0.5×a-36)×d1/3。
另外,对于本发明的配电用非晶态变压器中的上述非晶态合金薄 带,退火后的饱和磁通密度为1.60T以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立产机系统,未经株式会社日立产机系统许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780007097.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





