[发明专利]分子筛和沸石微针及其制备有效

专利信息
申请号: 200780006266.5 申请日: 2007-02-16
公开(公告)号: CN101389374A 公开(公告)日: 2009-03-18
发明(设计)人: 杨经伦;王礽慧;孙文青;梁伟健;赖咏欣;陈雅慧 申请(专利权)人: 香港科技大学
主分类号: A61M37/00 分类号: A61M37/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 过晓东
地址: 中国香港*** 国省代码: 中国香港;81
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摘要:
搜索关键词: 分子筛 沸石微针 及其 制备
【权利要求书】:

1.制备沸石微针的方法,其包括:

提供聚合物微针模板;

在所述聚合物微针模板上沉积沸石晶种;及

使所述沸石晶种生长成为沸石微针阵列。

2.如权利要求1的方法,其中所述提供步骤包括将光敏聚合物暴露于紫外光中。

3.如权利要求2的方法,其中所述提供步骤还包括将所述光敏聚合物浸入显影剂中。

4.如权利要求1的方法,其中所述沉积步骤包括以静电方式组装沸石晶种。

5.如权利要求4的方法,其中所述组装步骤包括将带正电的聚电解质引入所述模板中。

6.如权利要求5的方法,其中所述带正电的聚电解质包括聚氯化二烯丙基二甲基铵。

7.如权利要求5的方法,其中所述组装步骤还包括将带负电的沸石晶种添加至所述带正电的聚电解质上。

8.如权利要求5的方法,其中所述组装步骤还包括将带负电的聚电解质添加至所述带正电的聚电解质上。

9.如权利要求8的方法,其中所述带负电的聚电解质包括聚苯乙烯磺酸盐。

10.如权利要求1的方法,其中所述沉积步骤包括在所述模板上旋涂沸石晶种。

11.如权利要求10的方法,其中所述沸石晶种包括silicate-1晶种。

12.如权利要求1的方法,其中所述沉积步骤包括在所述模板上使沸石晶种老化。

13.如权利要求1的方法,其中所述生长步骤包括将沸石晶种在约403K下培养约24小时。

14.如权利要求1的方法,其还包括从所述沸石微针除去所述聚合物微针模板。

15.如权利要求14的方法,其中采用空气煅烧法除去所述模板。

16.如权利要求14的方法,其中采用臭氧化法除去所述模板。

17.沸石微针,其包括:

基底层;及

位于所述基底层上的沸石以形成沸石微针阵列。

18.如权利要求17的沸石微针,其中所述沸石微针的锥角为75°至100°。

19.如权利要求17的沸石微针,其中所述基底层包括二氧化硅、玻璃、石英、金属或它们任意的组合。

20.如权利要求17的沸石微针,其中所述沸石微针包括封闭针尖。

21.如权利要求17的沸石微针,其中所述沸石微针包括开口针尖。

22.如权利要求17的沸石微针,其中所述沸石微针是空心的。

23.如权利要求17的沸石微针,其中所述沸石微针是生物相容性的。

24.笔式施药器,其包括控制系统以及与所述控制系统相连的如权利要求17的沸石微针。

25.手表式施药器,其包括微处理器以及与所述微处理器相连的如权利要求17的沸石微针。

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