[发明专利]MEMS器件

权利要求书

1.一种微机电器件，包括：

换能器布置，其至少包括薄膜和衬底；

电交互装置，其用于将电信号联系于所述薄膜的运动；

衬底孔，其穿过所述衬底而形成；

其中，所述换能器布置包括在所述薄膜的周界内的应力减缓构 造，该构造至少部分地减弱来自所述衬底的膨胀或收缩对所述薄 膜的影响，其中所述应力减缓构造包括所述薄膜中的孔或沟槽而 并不破坏或破裂所述薄膜的周界，所述应力减缓构造包含在应力 释放区域中，

所述薄膜针对所述衬底而安装，从而使所述应力释放区域至少 部分地覆盖所述衬底，从而减缓通过所述薄膜的空气流。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述换能器布置进一步包 括背板布置，该背板布置具有用于将电信号联系于所述薄膜的运动 的另一电交互装置，所述背板布置被定位从而在所述背板布置和所 述薄膜之间形成空气空腔。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，大致垂直于所述衬底的应 力减缓构造的刚度大于大致位于所述衬底的平面内的应力减缓构 造的刚度。

4.根据之前任一项权利要求所述的器件，其中，所述衬底包括可 操作地连接到所述电交互装置的电子电路。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述电子电路包括互补型 金属氧化物半导体电路。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述互补型金属氧化物半 导体电路包括从如下列表中选出的一个或多个，所述列表包括：

电荷泵；

滤波器；

前置放大器；

模-数转换器；

数字信号处理器；

接收器/发射器；和

多路器。

7.根据权利要求2所述的器件，其中空气空腔通过去除牺牲层而 形成。

8.根据权利要求7所述的器件，其中所述牺牲层是聚酰亚胺。

9.根据权利要求7所述的器件，其中所述牺牲层是低温二氧化硅。

10.根据权利要求7或8所述的器件，其中，所述牺牲层的去除 通过干式蚀刻进行。

11.根据权利要求10所述的器件，其中，所述干式蚀刻包括氧气 等离子体蚀刻。

12.根据权利要求11所述的器件，其中，所述等离子体部分地/ 主要地被微波感应。

13.根据权利要求7至9中任一项所述的器件，其中，使用高温 直接晶片加热和掺杂氮气的氧气等离子体，进行所述牺牲层的去 除。

14.根据权利要求1-3中任一项所述的器件，其中，所述器件在 其中温度不超过400℃的过程中制造。

15.根据权利要求4所述的器件，其中，所述电子电路包含在相 对所述薄膜的不同的层中。

16.根据权利要求4所述的器件，其中，所述电子电路在与所述 薄膜相同的层中制造。

17.根据权利要求1-3中任一项所述的器件，其中，所述薄膜是 氮化硅。

18.根据权利要求1-3中任一项所述的器件，其中，所述薄膜是 多晶硅。

19.根据权利要求2所述的器件，其中，所述背板布置被穿孔， 从而允许空气流经过。

20.根据权利要求1-3中任一项所述的器件，其中，所述电交互 装置包括选自如下列表的一种或多种材料，所述列表包括：Al; AlSi;AlSiCu;Ti;TiW;Cu;Ni;NiCr;Cr;Pt;Ta以及Pd。

21.根据权利要求1-3中任一项所述的器件，其中，所述衬底是 硅。

22.一种包括根据之前任一项权利要求所述的器件的MEMS扩音 器。