[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，具有光提取表面，且包括透明衬底、接合到所述 透明衬底的化合物半导体层、包含在所述化合物半导体层中的发光部分、 包含在所述发光部分中且由(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP形成且具有垂直侧面的发光 层、设置在所述发光二极管的与所述光提取表面相反的表面上的不同极性 的第一电极和第二电极、以及形成在所述第一电极上的反射金属膜，其中 0≤X≤1，0＜Y≤1，其中所述透明衬底具有在接近所述发光层的一侧上与所 述发光层的发光表面实质上垂直的第一侧面和在远离所述发光层的一侧上 相对于所述发光表面倾斜的第二侧面，其中在所述透明衬底与所述化合物 半导体层接合的接合部分的整个表面上存在具有与所述第一和第二侧面连 续的垂直侧面的接合层，且其中所述第一和第二电极分别安装在电极端子 上。

2.根据权利要求1的发光二极管，其中所述第二电极形成在所述化合 物半导体层的与所述第一电极相对的一侧上的拐角位置处。

3.根据权利要求2的发光二极管，其中所述第二电极位于所述第二侧 面的倾斜结构下面。

4.根据权利要求1或权利要求2的发光二极管，其中所述透明衬底由 n型GaP制成。

5.根据权利要求1或权利要求2的发光二极管，其中所述透明衬底具 有(100)或(111)表面取向。

6.根据权利要求1或权利要求2的发光二极管，其中所述透明衬底的 厚度在50至300μm的范围内。

7.根据权利要求1或权利要求2的发光二极管，其中所述发光部分具 有厚度在0.5至20μm的范围内的最外层。

8.根据权利要求1或权利要求2的发光二极管，其中所述发光部分具 有由GaP制成的最外层。

9.根据权利要求8的发光二极管，其中所述发光部分具有由Ga_xP_1-x制成的最外层，其中0.5＜X＜0.7。

10.根据权利要求1或权利要求2的发光二极管，其中所述第二侧面 和平行于所述发光表面的表面形成55°至80°范围内的角度。

11.根据权利要求1或权利要求2的发光二极管，其中所述第一侧面 的宽度在30至100μm的范围内。

12.根据权利要求1的发光二极管，其中所述第二电极使其周围被所 述半导体层包围。

13.根据权利要求1的发光二极管，其中所述第一电极为栅格形状。

14.根据权利要求1或权利要求2的发光二极管，其中所述第一电极 是具有10μm以下宽度的线状电极。

15.根据权利要求1或权利要求2的发光二极管，其中所述发光部分 包含GaP层，且所述第二电极形成在所述GaP层上。

16.根据权利要求1或权利要求2的发光二极管，其中所述第一电极 具有n型极性，而所述第二电极具有p型极性。

17.根据权利要求1或权利要求2的发光二极管，其中所述透明衬底 的所述第二侧面具有被粗糙化的表面。