[发明专利]为MOS晶体管形成沟槽接触的方法

权利要求书

1、一种方法，包括：

在衬底上提供晶体管，其中，所述晶体管包括形成于所述衬底上的栅 极叠置体和至少一个扩散区以及形成于所述栅极叠置体和所述至少一个扩 散区的顶部上的电介质层；

执行第一光刻工艺，以形成与所述至少一个扩散区接触的扩散沟槽开 口；

向所述扩散沟槽开口内淀积牺牲层；

执行第二光刻工艺，以形成与所述栅极叠置体接触的栅极叠置体沟槽 开口，其中，独立于所述第一光刻工艺来执行所述第二光刻工艺；

去除所述牺牲层；以及

执行金属化工艺，以利用金属层填充所述扩散沟槽开口和栅极叠置体 沟槽开口。

2、根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光刻工艺包括：

在所述电介质层上淀积光刻胶材料；

对所述光刻胶材料进行构图，以暴露界定所述扩散沟槽开口的部分电 介质层；以及

蚀刻所述电介质层，以形成所述扩散沟槽开口。

3、根据权利要求2所述的方法，其中，所述电介质层的蚀刻包括采用 对所述至少一个扩散区具有高选择性的蚀刻化学试剂。

4、根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括旋涂玻璃、基 于硅氧烷的材料或有机抗反射涂层。

5、根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二光刻工艺包括：

在所述牺牲层上淀积光刻胶材料；

对所述光刻胶材料进行构图，以暴露界定所述栅极叠置体沟槽开口的 所述牺牲层和/或所述电介质层的一部分；以及

蚀刻所述牺牲层和所述电介质层，以形成所述栅极叠置体沟槽开口。

6、根据权利要求5所述的方法，其中，所述牺牲层和所述电介质层的 蚀刻包括采用对所述栅极叠置体具有高选择性的蚀刻化学试剂。

7、根据权利要求1所述的方法，其中，采用湿法化学蚀刻工艺或等离 子体蚀刻工艺执行所述牺牲层的去除。

8、根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属化工艺包括CVD、PECVD、 PVD、溅射淀积、ALD、电镀或无电镀。

9、根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括铜、钌、钯、 铂、钴、镍、氧化钌、钨、铝、钛、钽、氮化钛、氮化钽、铪、锆、金属 碳化物和导电金属氧化物中的一个或多个。

10、根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括两个或更多 金属层。

11、根据权利要求10所述的方法，其中，第一金属层包括种子层，而 第二层包括体金属层。

12、一种方法，包括：

在衬底上提供晶体管，其中，所述晶体管包括形成于所述衬底上的栅 极叠置体、第一扩散区和第二扩散区以及形成于所述栅极叠置体和所述第 一、第二扩散区的顶部的电介质层；

执行第一光刻工艺，以形成与所述第一扩散区接触的第一扩散沟槽开 口和与所述第二扩散区接触的第二扩散沟槽开口；

向所述第一和第二扩散沟槽开口内淀积牺牲层；

执行第二光刻工艺，以形成与所述栅极叠置体接触的栅极叠置体沟槽 开口，并形成将所述栅极叠置体沟槽开口耦合至所述第一扩散沟槽开口的 局部互连沟槽开口，其中，独立于所述第一光刻工艺来执行所述第二光刻 工艺；

去除所述牺牲层；以及

执行金属化工艺，以利用金属层填充所述第一扩散沟槽开口、第二扩 散沟槽开口、栅极叠置体沟槽开口和局部互连沟槽开口。

13、根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一光刻工艺包括：

在所述电介质层上淀积光刻胶材料；

对所述光刻胶材料构图，以暴露界定所述第一扩散沟槽开口和所述第 二扩散沟槽开口的部分电介质层；以及

蚀刻所述电介质层，以形成所述第一扩散沟槽开口和所述第二扩散沟 槽开口。