[发明专利]具有数字预失真的功率放大器有效
| 申请号： | 200780004441.7 | 申请日： | 2007-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101379697A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 约翰·戴维·罗兹 | 申请（专利权）人： | 菲尔特罗尼克公开有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 数字 失真 功率放大器 | ||
1.一种功率放大器，其包括：
化合物半导体晶体管；
偏置电路，其用于设置所述化合物半导体晶体管的漏极偏压；
数字预失真器，其用于在输入信号被所述化合物半导体晶体管放 大之前使该输入信号预失真，其中，在基频对于最大功率的已调制信 号计算所述数字预失真器的系数；以及
终端阻抗，其连接到所述化合物半导体晶体管；
其中，所述终端阻抗和漏极偏压被选择为以使得：漏极电流与漏 源电压的标绘图上所得到的负载线与经过所述化合物半导体晶体管的 特性曲线上的点的轨迹相同，在所述点处，所述漏极电流对于相同的 栅极偏压下的DC信号和脉冲信号相同。
2.如权利要求1所述的功率放大器，其中，所述化合物半导体晶 体管在B类下工作，并且所述终端阻抗的值为
其中，I0是最大漏极电流，Vdc是漏极偏压，X是要被放大的信号的 基频的振幅。
3.如权利要求1所述的功率放大器，其中，
所述化合物半导体晶体管在B类下工作，并且所述终端阻抗的值 为，
其中，I0是最大漏极电流，Vdc是漏极偏压。
4.如权利要求1所述的功率放大器，其中，所述化合物半导体晶 体管在B类下工作，并且所述终端阻抗的值为，
其中，I0是最大漏极电流，Vdc是漏极偏压。
5.如权利要求1-4中的任何一项所述的功率放大器，其中，所述化 合物半导体晶体管是GaAs、InP或GaN器件。
6.一种利用化合物半导体晶体管放大输入信号的方法，该方法包 括：
选择所述化合物半导体晶体管的漏极偏压和终端阻抗以使得：漏 极电流与漏源电压的标绘图上所得到的负载线与经过所述化合物半导 体晶体管的特性曲线上的点的轨迹相同，在所述点处，所述漏极电流 对于相同栅极偏压下的DC信号和脉冲信号是相同的；
使所述输入信号数字预失真，其中，在基频对于最大功率的已调 制信号计算数字预失真器的系数；以及
将所述数字预失真的信号提供至所述化合物半导体晶体管。
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