[发明专利]发光材料、发光器件和电子设备

权利要求书

1.一种发光材料，包括：

基体材料；

第一杂质元素；

第二杂质元素；以及

第三杂质元素，

其中所述基体材料是选自以下组的材料：硫化锌、硫化镉、硫化钙、硫化钇、硫化镓、硫化锶、硫化钡、氧化锌、氧化钇、氮化铝、氮化镓、氮化铟、硒化锌、碲化锌、硫化锶镓及其组合，

其中所述第一杂质元素是选自以下组的至少一个元素：铜、银、金、铂和硅，

其中所述第二杂质元素是选自以下组的至少一个元素：氟、氯、溴、碘、硼、铝、镓、铟和铊，

其中所述第三杂质元素是选自以下组的至少一个元素：锂、钠、钾、铷、铯、氮、磷、砷、锑和铋。

2.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述第一杂质元素、所述第二杂质元素和所述第三杂质元素各自相对于所述基体材料的浓度是0.01原子％至10原子％。

3.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述第一杂质元素、所述第二杂质元素和所述第三杂质元素各自相对于所述基体材料的浓度是0.1原子％至5原子％。

4.一种发光材料，包括：

基体材料；

选自以下组的材料：氟化铜、氯化铜、碘化铜、溴化铜、氮化铜、磷化铜、氟化银、氯化银、碘化银、溴化银、氯化金、溴化金、氯化铂及其组合；以及

杂质元素，

其中所述基体材料是选自以下组的材料：硫化锌、硫化镉、硫化钙、硫化钇、硫化镓、硫化锶、硫化钡、氧化锌、氧化钇、氮化铝、氮化镓、氮化铟、硒化锌、碲化锌、硫化锶镓及其组合，以及

其中所述杂质元素是选自以下组的至少一个元素：锂、钠、钾、铷、铯、氮、磷、砷、锑和铋。

5.一种发光材料，包括：

基体材料；

杂质元素；以及

选自以下组的材料：氟化锂、氯化锂、碘化锂、溴化铜、氯化钠、氮化硼、氮化铝、锑化铝、磷化镓、砷化镓、磷化铟、砷化铟、锑化铟及其组合，

其中所述基体材料是选自以下组的材料：硫化锌、硫化镉、硫化钙、硫化钇、硫化镓、硫化锶、硫化钡、氧化锌、氧化钇、氮化铝、氮化镓、氮化铟、硒化锌、碲化锌、硫化锶镓及其组合，以及

其中所述杂质元素是选自以下组的至少一个元素：铜、银、金、铂和硅。

6.一种发光器件，包括：

一对电极；

在所述一对电极之间包括发光材料的发光层；以及

在所述发光层与所述一对电极中的一个之间的绝缘层，

其中所述发光材料包括基体材料、第一杂质元素、第二杂质元素和第三杂质元素，

其中所述基体材料是选自以下组的材料：硫化锌、硫化镉、硫化钙、硫化钇、硫化镓、硫化锶、硫化钡、氧化锌、氧化钇、氮化铝、氮化镓、氮化铟、硒化锌、碲化锌、硫化锶镓及其组合，

其中所述第一杂质元素是选自以下组的至少一个元素：铜、银、金、铂和硅，

其中所述第二杂质元素是选自以下组的至少一个元素：氟、氯、溴、碘、硼、铝、镓、铟和铊，以及

其中所述第三杂质元素是选自以下组的至少一个元素：锂、钠、钾、铷、铯、氮、磷、砷、锑和铋。

7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第一杂质元素、所述第二杂质元素和所述第三杂质元素各自相对于所述基体材料的浓度是0.01原子％至10原子％。

8.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第一杂质元素、所述第二杂质元素和所述第三杂质元素各自相对于所述基体材料的浓度是0.1原子％至5原子％。

9.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述绝缘层的厚度是1nm至500nm。

10.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述绝缘层的厚度是1nm至100nm。

11.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述绝缘层包括选自以下组的至少一个：氧化钇、氧化铝、氧化钽、氧化硅和氮化硅。

12.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述绝缘层包括钛酸钡和钛酸铅中的至少一个。