[发明专利]压力传感器封装体和电子器件

权利要求书

1.一种压力传感器封装体，具有：压力传感器，在半导体衬底的一面，在其中央区域的内部具有与该一面大致平行扩展的空间，并以位于该空间的上部的薄板化了的区域为隔膜部，在该隔膜部配置有压敏元件，在所述一面，至少具有第一导电部，该第一导电部配置在除了所述隔膜部以外的外缘区域，并且与所述压敏元件电连接；以及第一凸起，单独配置于所述第一导电部之上，并且与所述第一导电部电连接；其特征在于：

当将所述外缘区域的半导体衬底的厚度定义为D1，所述隔膜部的厚度定义为D2，所述空间的高度定义为D3，在所述中央区域，除了所述D2和所述D3以外的半导体衬底的剩余部分的厚度定义为D4时，(D2+D3)为5～20μm，并且D1≈D4，D1为200μm以上。

2.一种压力传感器封装体，具有：压力传感器，在半导体衬底的一面，在其中央区域的内部具有与该一面大致平行扩展的空间，并以位于该空间的上部的薄板化了的区域为隔膜部，在该隔膜部配置有压敏元件，在所述一面，至少具有第一导电部，该第一导电部配置在除了所述隔膜部以外的外缘区域，并且与所述压敏元件电连接；第一绝缘部，设置为覆盖所述外缘区域；第二导电部，配置在该第一绝缘部之上，并且单独与所述第一导电部电连接；以及第二凸起，单独配置于该第二导电部之上，并且在不与所述第一导电部重叠的位置，与该第二导电部电连接；其特征在于：

当将所述外缘区域的半导体衬底的厚度定义为T1，所述隔膜部的厚度定义为T2，所述空间的高度定义为T3，在所述中央区域，除了所述T2和所述T3以外的半导体衬底的剩余部分的厚度定义为T4时，(T2+T3)为5～20μm，并且T1≈T4，T1为200μm以上。

3.根据权利要求2所述的压力传感器封装体，其特征在于：

具有第二绝缘部，该第二绝缘部设置为只使所述第二凸起露出，且覆盖包含所述第二导电部的所述外缘区域。

4.根据权利要求2所述的压力传感器封装体，其特征在于：

具有第二绝缘部，该第二绝缘部设置为：以只使所述第二凸起露出，且覆盖所述第二导电部的方式与所述第一绝缘部重叠；所述第一绝缘部、第二绝缘部的至少一方配置在呈岛状的所述第二凸起的周围。

5.根据权利要求2所述的压力传感器封装体，其特征在于：

所述第二凸起彼此配置在相互对称的位置。

6.根据权利要求1或2所述的压力传感器封装体，其特征在于：

在所述压力传感器内具有放大电路和/或补偿电路。

7.根据权利要求2所述的压力传感器封装体，其特征在于：

第一绝缘部具有岛状。

8.一种电子器件，其特征在于：

搭载权利要求1或2所述的压力传感器封装体。