[发明专利]重复利用不合格的多晶元封装

权利要求书

1.一种多晶元存储器封装，所述封装包括：

(a)多个存储器晶元；和

(b)用于所述多个存储器晶元中的每个晶元的来自所述封装的至少一个外部连接，所述至少一个外部连接中用于专门提供电压供应线路给所述多个存储器晶元中的一个单个晶元。

2.如权利要求1的封装，其中所述多个存储器晶元包括闪存晶元。

3.如权利要求1的封装，其中所述多个存储器晶元包括NAND型闪存晶元。

4.如权利要求1的封装，其中所述多个存储器晶元的所述至少一个外部连接中的一个外部连接以自隔离设计配置。

5.如权利要求1的封装，其中所述至少一个外部连接中的一个外部连接被配置成提供专用于所述多个存储器晶元中的一个单个晶元的I/O电路的电压供应线路。

6.一种多晶元存储器封装，该封装包括：

(a)多个存储器晶元，所述多个存储器晶元中的第一存储器晶元在所述多个存储器晶元中的第二存储器晶元有源的时候是无源的。

7.如权利要求6的封装，其中所述多个存储器晶元包括闪存晶元。

8.如权利要求6的封装，其中所述多个存储器晶元包括NAND型闪存晶元。

9.如权利要求6的封装，其中所述第一存储器晶元是不合格的。

10.一种存储器生产线，所述生产线包括：

(a)至少两个存储器产品，所述至少两个存储器产品具有：

(i)基本上相等的可用存储器大小；

(ii)对于每个所述至少两个存储器产品来说不同的接口规格；以及

(iii)至少两个存储器晶元，其中所述至少两个存储器产品中的每一个具有所述至少两个存储器晶元中的一个无源的不同子集。

11.如权利要求10的封装，其中所述至少两个存储器晶元包括闪存晶元。

12.如权利要求10的封装，其中所述至少两个存储器晶元包括NAND型闪存晶元。

13.一种使用多晶元存储器封装的方法，该方法包括以下步骤：

(a)制造多晶元存储器封装以包含多个存储器晶元；

(b)在所述多个存储器晶元的第一存储器晶元中检测出故障；以及

(c)激活所述多个存储器晶元中的第二存储器晶元，同时使所述第一存储器晶元无源。

14.如权利要求13的方法，其中所述制造多晶元存储器封装以包含多个存储器晶元的步骤包括制造多个闪存晶元。

15.如权利要求13的方法，其中所述制造多晶元存储器封装以包含多个存储器晶元的步骤包括制造多个NAND型闪存晶元。