[发明专利]用于迁移稳定性和速度的单应力衬里无效
| 申请号： | 200780001634.7 | 申请日： | 2007-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101361196A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | J·Y·尚;R·C·翁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 迁移 稳定性 速度 应力 衬里 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
多个n型场效应晶体管(NFET)(110)；
多个p型场效应晶体管(PFET)(112)；以及
单应力衬里(120)，其被施加在多个NFET(110)和多个PFET(112)之上。
2.根据权利要求1的半导体器件，其中所述单应力衬里(120)包括压缩材料。
3.根据权利要求2的半导体器件，其中所述半导体器件包括静态随机存取存储器(SRAM)单元，以及所述单应力衬里(120)减慢所述多个NFET(110)的操作。
4.根据权利要求1的半导体器件，其中所述单应力衬里(120)包括拉伸材料。
5.根据权利要求4的半导体器件，其中所述半导体器件包括静态随机存取存储器(SRAM)单元，以及所述单应力衬里(120)增加所述SRAM单元的速度。
6.根据权利要求1的半导体器件，其中所述多个PFET(112)包括至少两个PFET(112)，以及所述多个NFET(110)包括至少四个NFET(110)。
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