[发明专利]电极及真空处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及电极部及真空处理装置。 

背景技术

在现有的等离子体CVD装置等中，向配备在真空等离子体处理装置内部的梯子状的气体吹出型电极供给反应气体，使其在等离子体气氛内进行分解反应而在基板(被处理基板)上形成薄膜。(例如，参考专利文献1) 

专利文献1：特开2000-12471号公报 

另外，为了应对近几年的成膜速度的高速化要求，有必要在电极和基板之间供给大量的反应气体。另一方面，为应对提高成膜品质的要求，有必要提高被供给的反应气体的气压，并且，缩窄电极和基板之间的距离(间隔长)。在这种情况下，有必要将反应气体的供排气设置在电极和基板之间的附近区域。可是，当将供给反应气体的喷出孔设置于基板附近时，会产生根据从喷出孔喷出的反应气体的喷流在基板上形成的成膜分布等不均匀的问题。 

在上述高压气体条件下，为了成膜为高品质的膜，有必要将等离子体放电关入电极和基板之间，只在形成等离子体放电的等离子体放电区域通入反应气体，并且，有必要将成膜使用的反应气体快速排气。在上述高压气压条件中，在气相中反应气体彼此的反应速度大，容易形成分子量大的气体分子(微粒子)。如果该微粒子进入成膜中的膜中，则成为膜的品质劣化的原因。 

作为解决该问题的方法，提出了从基板看从电极的背面喷出反应气体的方法，及相对于基板的面在平行方向喷出反应气体的方法等。但是，在所述的方法中，由于反应气体滞留在等离子体放电区域中的时间变长，生成上述微粒子的可能性高，提高膜的品质很困难。 

另一方面，在反应气体的喷流直接碰撞在基板上时，有可能由于反应 气体的喷流在成膜面形成痕迹(气体喷流痕)，产生成膜分布不均匀。 

并且，作为高压气体条件，可例示将喷出的反应气体的流速在贝克莱数(ペクレ数)中成为约10以上的情况。在此，贝克莱数用(反应气体流速×代表长度)/反应气体的扩散系数)表示，作为代表长度，例如，可例举反应气体喷出的孔的直径等。 

发明内容

本发明是为解决以上课题而产生的，其目的是提供一种电极及真空处理装置，可提高成膜速度，并且可提高成膜分布的均匀性。 

为实现上述目的，本发明提供以下方法。 

本发明的第一方案，提供一种电极，其具有：多个电极，其沿着被处理基板的面隔着规定间隔并排延伸；缓冲室，其在该多个电极之间沿着所述电极延伸；多个第一喷出口，其沿着所述电极延伸的方向设置，向所述缓冲室内供给反应气体；第二喷出口，其形成为在所述电极延伸的方向延伸的狭缝状，从所述缓冲室朝向所述被处理基板供给所述反应气体。 

根据本发明的第一方案，通过设置有向缓冲室内供给反应气体的多个第一喷出口以及从缓冲室朝向被处理基板供给反应气体的狭缝状的第二喷出口，可提高被处理基板的成膜速度，并且，可提高成膜分布的均匀性。 

由于第一喷出口沿着电极延伸的方向设置多个，因此可从各第一喷出口向缓冲室内均匀地供给反应气体。并且，由于第二喷出口形成为在电极延伸的方向延伸的狭缝状，因此在电极延伸的方向，能够相对于被处理基板均匀地供给反应气体。因此，可提高被处理基板的成膜分布的均匀性。另一方面，从电极朝向被处理基板进行等离子体放电且从设置于在多个电极之间配置的缓冲室上的第二喷出口喷出的反应气体被供给于等离子体放电区域。因此，向等离子体放电区域供给大量的反应气体可形成等离子体，可谋求被处理基板的成膜速度的提高。再者，等离子体放电区域内的反应气体被从第二喷出口喷出的反应气体从等离子体放电区域压出，因此反应气体在等离子体放电区域内滞留的时间短。所以，可防止微粒子的发生，提高被处理基板的成膜分布的均匀性。例如，即使在以往的很难得到均匀的成膜分布的贝克莱数为10以上的条件下，也能得到均匀的成膜分 布。 

在上述发明中，优选在相对于所述缓冲室夹着所述电极而邻接的位置设置有排出部，所述排出部将所述反应气体从所述被处理基板和所述电极之间排出。 

由此，由于在相对于缓冲室夹着电极而邻接的位置设置有排出部，因此可提高成膜分布的均匀性。 

排出部从被处理基板和电极之间排出反应气体，因此也可排出滞留在上述等离子体放电区域的反应气体。因此，可防止微粒子的发生，提高被处理基板的成膜分布的均匀性。再者，由于排出部配置在相对于缓冲室夹着电极而邻接的位置，因此配置在接近上述等离子体放电区域附近的位置。因此，可容易地排出滞留在等离子体放电区域的反应气体，可进一步提高被处理基板的成膜分布的均匀性。