[发明专利]光学元件、光学元件制作用原盘的制造方法以及光电转换装置无效
| 申请号: | 200780001192.6 | 申请日: | 2007-08-21 |
| 公开(公告)号: | CN101356454A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
| 发明(设计)人: | 远藤惣铭;林部和弥;永井透;秀田育弘;白鹭俊彦;西村公孝;铃木忠男 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社;索尼碟片数位解决方案股份有限公司 |
| 主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光学 元件 制作 用原盘 制造 方法 以及 光电 转换 装置 | ||
1.一种光学元件,在基体表面上以可视光的波长以下的微小间隔配置有多个包括凸部或凹部的构造体,其特征在于:
所述各构造体被配置为在所述基体表面呈多列圆弧状轨迹,且形成准六边形格子图案,
其中,所述构造体是在所述圆弧状轨迹的圆周方向上具有长轴方向的椭圆锥或椭圆锥台形状。
2.根据权利要求1所述的光学元件,其特征在于:
相同轨迹内的所述构造体的配置间隔P1长于邻接的两个轨迹间的所述构造体的配置间隔P2。
3.根据权利要求1所述的光学元件,其特征在于:
当将相同轨迹内的所述构造体的配置间隔设定为P1,并将邻接的两个轨迹间的所述构造体的配置间隔设定为P2时,
P1/P2为1.00<P1/P2≤1.32。
4.根据权利要求1所述的光学元件,其特征在于:
所述各构造体为如下的椭圆锥或椭圆锥台形状:在所述圆弧状轨迹的圆周方向上具有长轴方向,且中央部的倾斜比尖端部以及底部的倾斜更为陡峭。
5.根据权利要求1所述的光学元件,其特征在于:
所述圆弧状轨迹的圆周方向上的所述构造体的高度或深度小于所述圆弧状轨迹的直径方向上的所述构造体的高度或深度。
6.根据权利要求1所述的光学元件,其特征在于:
所述构造体的纵横尺寸比为0.81~1.46。
7.根据权利要求5所述的光学元件,其特征在于:
所述构造体的纵横尺寸比为0.94~1.28。
8.根据权利要求1所述的光学元件,其特征在于:
所述构造体的纵横尺寸比为0.94~1.46。
9.根据权利要求1所述的光学元件,其特征在于:
所述构造体的纵横尺寸比为0.81~1.28。
10.根据权利要求1所述的光学元件,其特征在于:
相同轨迹内的所述构造体的配置间隔P1为300nm~350nm,邻接的两个轨迹间的所述构造体的配置间隔P2为265nm~300nm。
11.根据权利要求1所述的光学元件,其特征在于:
所述光学元件的光射入面以及所述光学元件的光射出面两者上都设置有所述多个构造体。
12.一种光学元件制作用原盘的制造方法,所述光学元件以可视光的波长以下的微小间隔配置有多个由凸部或凹部构成的构造体,所述光学元件制作用原盘的制造方法的特征在于,包括:
第一工序,准备在表面上形成有抗蚀层的基板;
第二工序,使所述基板旋转,同时,使激光沿所述基板的旋转半径方向相对移动,并对所述抗蚀层间歇性地照射激光,以短于可视光波长的间隔形成潜像;以及
第三工序,对所述抗蚀层进行显影,在所述基板的表面上形成抗蚀图案,
其中,在所述第二工序中,使所述潜像形成为在所述基板的旋转方向上具有长轴的椭圆形状,并且,使所述潜像形成为在邻接的三列轨迹之间构成准六边形格子图案。
13.根据权利要求12所述的光学元件制作用原盘的制造方法,其特征在于:
在所述第二工序中,对应于每个轨迹使对所述抗蚀层照射激光的周期变化的同时,对所述抗蚀层照射激光。
14.根据权利要求12所述的光学元件制作用原盘的制造方法,其特征在于:
将相同轨迹内的所述潜像的形成间隔设定得长于邻接的两个轨迹间的所述潜像的形成间隔。
15.根据权利要求12所述的光学元件制作用原盘的制造方法,其特征在于:
以角速度一定的方式使所述基板旋转。
16.根据权利要求12所述的光学元件制作用原盘的制造方法,其特征在于:
在所述第三工序之后,所述光学元件制作用原盘的制造方法还包括:第四工序,通过进行将所述抗蚀图案作为掩模的蚀刻处理,在所述基板的表面形成凹凸构造。
17.根据权利要求16所述的光学元件制作用原盘的制造方法,其特征在于:
在所述第四工序中,交互进行所述抗蚀图案的抛光处理和所述基板表面的蚀刻处理。
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