[发明专利]具有快速温度变化的衬底支撑结构

权利要求书

1.在用于III-V氮化物膜的沉积的半导体处理设备中使用的具有快速温度变化能力的衬底支撑表面，所述半导体支撑表面包括：

底座表面，其构造为允许大于约10℃/秒的快速温度变化。

2.根据权利要求1所述的衬底支撑表面，其特征在于，所述底座构造为允许大于约15℃/秒的快速温度变化。

3.根据权利要求1所述的衬底支撑表面，其特征在于，所述底座构造为允许大于约20℃/秒的快速温度变化。

4.根据权利要求1所述的衬底支撑表面，其特征在于，所述底座由约1mm到约5mm厚的平板组成。

5.根据权利要求1所述的衬底支撑表面，其特征在于，所述底座包括加热器，以有助于加热期间均匀的温度分布。

6.根据权利要求1所述的衬底支撑表面，其特征在于，所述衬底支撑表面包括镍-铁合金、石英、硅、硅碳化物或碳化合物。

7.一种用于III-V氮化物膜沉积的半导体处理设备，所述半导体处理设备包括：

罩；

衬底支撑结构，其配置为支撑放置在所述罩内的至少一个衬底晶圆；

至少一个加热器，配置为在处理期间加热所述衬底支撑结构以及至少一个衬底晶圆；以及

气体输送系统，配置为在处理期间向所述罩输送工艺气体；

其中所述衬底支撑结构包括底座表面，构造为允许大于约10℃/秒的快速温度变化。

8.根据权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，所述底座构造为允许大于约15℃/秒的快速温度变化。

9.根据权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，所述底座构造为允许大于约20℃/秒的快速温度变化。

10.根据权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，所述底座包括镍-铁合金、石英、硅、硅碳化物或碳化合物。

11.根据权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，所述至少一个加热器是辐射灯加热器。

12.根据权利要求7所述的衬底支撑表面，其特征在于，所述底座由约1mm到约5mm厚的平板组成。

13.根据权利要求7所述的衬底支撑表面，其特征在于，所述底座包括加热器，以有助于加热期间均匀的温度分布。

14.一种用于在III-V氮化物膜的沉积中使用的包括半导体处理设备的LED集束设备，所述半导体处理设备包括：

罩；

衬底支撑结构，其配置为支撑放置在所述罩内的至少一个衬底晶圆；

至少一个加热器，配置为在处理期间加热所述衬底支撑结构以及至少一个衬底晶圆；以及

气体输送系统，配置为在处理期间向所述罩输送工艺气体；

其中所述衬底支撑结构包括底座表面，构造为允许大于约10℃/秒的快速温度变化。

15.根据权利要求14所述的LED集束设备，其特征在于，所述底座构造为允许大于约15℃/秒的快速温度变化。

16.根据权利要求14所述的LED集束设备，其特征在于，所述底座构造为允许大于约20℃/秒的快速温度变化。

17.根据权利要求14所述的LED集束设备，其特征在于，所述衬底支撑结构包括镍-铁合金、石英、硅、硅碳化物或碳化合物。

18.根据权利要求14所述的半导体处理设备，其特征在于，所述至少一个加热器是辐射灯加热器。

19.根据权利要求14所述的半导体处理设备，其特征在于，所述底座由约1mm到约5mm厚的平板组成。

20.根据权利要求14所述的半导体处理设备，其特征在于，所述底座包括加热器元件以有助于加热期间均匀的温度分布。