[发明专利]Ti系膜的成膜方法和存储介质

权利要求书

1.一种Ti系膜的成膜方法，是在腔室内，从至少表面由含Ni材料构成的气体喷出部件喷出含有TiCl₄气体的处理气体，在配置在腔室内的被处理体的表面形成Ti系膜的Ti系膜成膜方法，包括：

使所述气体喷出部件的温度在300℃以上并低于450℃，并且使TiCl₄气体的换算成标准状态的流量为1～12mL/min或TiCl₄气体的分压为0.1～2.5Pa，在规定枚数的被处理体上形成Ti系膜的工序，其中，所述标准状态是温度0℃、气压1atm的状态；和

此后，在所述腔室内不存在被处理体的状态下，使所述气体喷出部件的温度为200～300℃，向所述腔室内导入氟系清洁气体，对所述腔室内进行清洁的工序。

2.根据权利要求1所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，还包括：

在所述Ti系膜的成膜之前，在所述腔室内不存在被处理体的状态下，从所述气体喷出部件喷出含有TiCl₄气体的处理气体，至少在所述气体喷出部件的表面形成预涂膜的工序。

3.根据权利要求1所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

反复多次进行在所述规定枚数的被处理体上的Ti系膜的成膜和所述腔室内的清洁。

4.根据权利要求1所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

所述Ti系膜是Ti膜。

5.根据权利要求4所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

所述处理气体含有氢气作为还原气体。

6.根据权利要求4所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

所述Ti系膜的成膜在形成Ti膜后实施氮化处理。

7.根据权利要求1所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

所述清洁气体是ClF₃气体。

8.根据权利要求1所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

所述气体喷出部件是与被处理体相对设置，形成有多个气体喷出孔的喷淋头。

9.根据权利要求1所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，还包括：

在所述气体喷出部件是在表面上露出含Ni材料的状态的情况下，在所述腔室内不存在被处理体的状态下，将钝化用气体供给至所述腔室内，至少在所述气体喷出部件表面形成钝化膜的工序。

10.根据权利要求9所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

所述钝化用气体是所述清洁气体。

11.根据权利要求9所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，还包括：

在形成所述钝化膜之后且在所述Ti系膜的成膜之前，在所述腔室内不存在被处理体的状态下，从所述气体喷出部件喷出含有TiCl₄气体的处理气体，至少在所述气体喷出部件的表面形成预涂膜的工序。

12.根据权利要求9所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

反复多次进行在所述规定枚数的被处理体上的Ti系膜的成膜和所述腔室内的清洁。

13.根据权利要求9所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

所述Ti系膜是Ti膜。

14.根据权利要求13所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

所述处理气体含有氢气作为还原气体。

15.根据权利要求13所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

所述Ti系膜的成膜在形成Ti膜后实施氮化处理。

16.根据权利要求9所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

所述清洁气体是ClF₃气体。

17.根据权利要求9所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，

所述气体喷出部件是与被处理体相对设置，形成有多个气体喷出孔的喷淋头。