[实用新型]同步整流控制电路无效
申请号: | 200720306405.3 | 申请日: | 2007-11-27 |
公开(公告)号: | CN201122906Y | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 黄明和 | 申请(专利权)人: | 高效电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/04 | 分类号: | H02M7/04;H01F27/28;H01F30/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 同步 整流 控制电路 | ||
技术领域
本实用新型有关于一种同步整流控制电路,尤指一种使用波宽调变信号以调整该同步整流开关的导通时间,以维持该输出电压稳定的同步整流控制电路。
背景技术
公知的同步整流开关控制电路中,其通常将同步整流开关控制在饱和区或线性区操作。但上述的同步整流开关控制电路,当负载产生变化时,例如轻载时输出电压从+5V漂高至+6或+7V时,将对其他组电压输出产生交互调整(crossregulation)之的作用,然该同步整流开关仍只能在饱和区或线性区操作,并无法有效使该输出电压维持稳定,进而降低交互调整的作用,诚属美中不足的处。
有鉴于此,本实用新型提出一种同步整流控制电路以改善上述缺点。
实用新型内容
本实用新型的一目的是提供一种同步整流控制电路,其使用波宽调变信号以调整该同步整流开关的导通时间,以维持该输出电压稳定。
为达上述的目的,本实用新型的同步整流控制电路,其具有:一第一变压器,其具有一一次侧及一二次侧,该一次侧具有一第一绕组,该二次侧具有一第二绕组、一第三绕组、一第四绕组及一第五绕组,且该第二绕组及第三绕组互相串接后接至地电位,该第一绕组的两端耦接至一驱动信号,该第二绕组及第三绕组可将该驱动信号变成相位相反的一第二驱动信号及一第三驱动信号;一参考电压产生电路,其耦接至一第一电源,可根据一输出电压产生一参考电压;一第一波宽调变控制信号产生电路,其耦接至一第二电源,可根据该第二驱动信号及该参考电压输出一第一波宽调变控制信号;一第二波宽控制信号产生电路,其耦接至该第二电源,可根据该第三驱动信号及该参考电压输出一第二波宽控制信号;一第一同步整流电路,可通过该第一波宽调变控制信号控制其导通时间,使其输出端可输出该输出电压;以及一第二同步整流电路,可通过该第二波宽控制信号控制其导通时间,使其输出端可输出该输出电压;该输出电压漂高时,通过该第一同步整流电路及该第二同步整流电路可稳定该输出电压。
所述的同步整流控制电路中,该第一变压器为一驱动信号变压器,且该参考电压产生电路进一步具有:一分压电路,其具有串接的一第一电阻器及一第二电阻器,该第一电阻器的一端耦接至该输出电压,该第二电阻器的另一端则接至地电位,该第一电阻器及该第二电阻器间则并接一第一电容器及一第三电阻器;一第四电阻器,其一端耦接至该第一电源;以及一电压比较电路,其第一端耦接至该第四电阻器的另一端,第二端耦接至地电位,第三端耦接至该第一电阻器及第二电阻器间;该第二电阻器上的电压小于一预设电压时,该电压比较电路所输出的参考电压将等于该预设电压,当该第二电阻器上的电压大于该预设电压时,该电压比较电路所输出的参考电压将低于该预设电压的电压,其中该输出电压为直流5V,该预设电压为直流2.5V。
所述的同步整流控制电路中,该第一波宽调变控制信号产生电路进一步具有:一第一开关,其第一端经由一第五电阻器耦接至一第二电源,其第二端耦接至该第二绕组的一端,其第三端则耦接至地电位,该第一端及第三端间则并接一第二电容器,使该第五电阻器及第二电容器形成一第一充电回路;以及一第一比较器,其第一输入端耦接至该第二电容器的一端,第二输入端则耦接至该参考电压,其根据该第二电容器的输出电压及该参考电压产生该第一波宽调变控制信号。
所述的同步整流控制电路中,该第一比较器为一运算放大器,该第一开关为电力开关,且该电力开关为N通道金氧半场效晶体管N通道接面场效晶体管、P通道金氧半场效晶体管或P通道接面场效晶体管,且该第一开关的第一端为漏极,第二端为栅极,第三端为源极。
所述的同步整流控制电路中,该第二波宽控制信号产生电路进一步具有:一第二开关,其第一端经由一第六电阻器耦接至该第二电源,其第二端耦接至该第三绕组的另一端,其第三端则耦接至地电位,该第一端及第三端间则并接一第三电容器,使该第六电阻器及第三电容器形成一第二充电回路;一第二比较器,其第一输入端耦接至该第三电容器的输出端,第二输入端则耦接至该参考电压,其根据该第三电容器的输出电压及该参考电压产生该第二波宽控制信号。
所述的同步整流控制电路中,该第二比较器为一运算放大器,该第二开关为电力开关,且该电力开关为N通道金氧半场效晶体管N通道接面场效晶体管、P通道金氧半场效晶体管或P通道接面场效晶体管,且该第二开关的第一端为漏极,第二端为栅极,第三端为源极。
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