[实用新型]主动式箝位开关电路的改良

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种主动式箝位开关电路的改良，尤其指一种于第一绕组的复归回路中串接一阻抗装置以降低流过开关的电流，以避免开关被烧毁的主动式箝位开关电路的改良。

背景技术

请参照图1，其显示公知的顺向式转换器的方块示意图。如图所示，公知的顺向式转换器，包括：一变压器100，其具有一第一绕组101及-第二绕组102；一开关110；一主动箝位开关(active clamp switch)120，其具有一寄生二极管121；以及一电容器130所组合而成，且该第一绕组101及该电容器130间会存在一漏电感103。

上述的顺向式转换器在该开关110截止时，该漏电感103上所储存的能量将会通过该主动箝位开关120及该电容器130所形成的复归回路进行放电，以使电位归零。

一般主动箝位开关120的寄生二极管(body diode)121所能承受的电流(Io_max·n+VinLm+Lr·D·Ts),]]>但在过电流保护模式(Over Current Protection，简称OCP)或过载保护模式(Over Load Protection，简称OLP)条件下，一大的连续导通模式(Continue Conductive Mode，简称CCM)电流(Io_ocp·n)将流过变压器100且在该开关110截止时在该主动箝位开关120上产生一大电流突波(spike)，该大电流突波往往超过主动箝位开关的额定电流，如此将易使该第二开关120烧毁。抑或有些公知技术于该主动箝位开关120及该电容器130之间串接一铁粉芯(bead coil)，以增加其回路阻抗进而降低其流过的电流；或者有些公知技术于该主动箝位开关120的源极及漏极间并接一萧积二极管(Shocky diode)，当电压大于该萧积二极管的逆向导通电压时，即使该萧积二极管崩溃(即短路)，以降低流过该主动箝位开关120的电流。惟上述公知技术的成效皆相当有限，并无法有效降低流过该主动箝位开关120的电流以及避免该主动箝位开关120被烧毁，实属美中不足之处。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种主动式箝位开关电路的改良，以改善背景技术中存在的缺陷。

为实现上述目的，本实用新型提供的主动式箝位开关电路的改良，其具有：

一变压器，其具有一一第一绕组及一第二绕组，该第一绕组的一端耦接至一电源的正极输入端；

一第一开关，为一三端组件，其第一端耦接至该第一绕组的另一端，其第二端耦接至一第一控制信号，第三端则耦接至该电源的负极输入端；

一电容器，其一端耦接至该第一绕组的一端；

一阻抗装置，其一端耦接至该电容器的另一端；

一第二开关，亦为一三端组件，其第一端耦接至该阻抗装置的另一端，其第二端耦接至一第二控制信号，第三端则耦接至该第一开关的第一端；以及

一整流器，其一端耦接至该电容器及该阻抗装置之间，另一端则耦接至该第一开关的第一端；

该电容器、阻抗装置、第二开关可提供该第一绕组一复归回路，同时该阻抗装置可降低流过该第二开关的电流，以避免该第二开关被烧毁。

所述的主动式箝位开关电路的改良，其中该变压器为一顺向转换器的变压器。

所述的主动式箝位开关电路的改良，其中该第一开关及第二开关可为一电力开关，且该电力开关可为N通道金属氧化物半导体场效晶体管N通道接面场效晶体管、P通道金属氧化物半导体场效晶体管或P通道接面场效晶体管。

所述的主动式箝位开关电路的改良，其中该第一端为该金属氧化物半导体场效晶体管的漏极，该第二端为该金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，该第三端为该金属氧化物半导体场效晶体管的源极。

所述的主动式箝位开关电路的改良，其中该第一开关进一步具有一寄生二极管。

所述的主动式箝位开关电路的改良，其中该第二开关进一步具有一寄生二极管。