[实用新型]二次侧驱动型半桥式电源供应装置

权利要求书

1、一种二次侧驱动型半桥式电源供应装置，其特征在于，包括：

一半桥式变压器，其具有一次测与二次测；

一金氧半场效晶体管单元，其连接于该半桥式变压器，并位于该一次侧，用来驱动该半桥式变压器；

一脉波宽度调变控制器，其连接于该二次侧，并产生一控制信号；

一隔离组件，其隔离该一次侧与该二次侧，且连接该脉波宽度调变控制器与该金氧半场效晶体管单元，并接收该控制信号以驱动该金氧半场效晶体管单元；以及

一输出整流滤波电路，其连接该半桥式变压器，并位于该二次侧，用来输出各种电压至外部负载。

2、如权利要求1所述二次侧驱动型半桥式电源供应装置，其特征在于，还包含一图腾端口放大电路，其在该隔离组件接收该控制信号之前，放大该控制信号。

3、如权利要求2所述二次侧驱动型半桥式电源供应装置，其特征在于，该图腾端口放大电路以及该脉波宽度调变控制器更可整合在同一芯片中。

4、如权利要求1所述二次侧驱动型半桥式电源供应装置，其特征在于，该脉波宽度调变控制器还包含一保护电路以及一讯息时序控制电路。

5、如权利要求1所述二次侧驱动型半桥式电源供应装置，其特征在于，该金氧半场效晶体管单元至少包含二金氧半场效晶体管。

6、如权利要求5所述二次侧驱动型半桥式电源供应装置，其特征在于，若该金氧半场效晶体管单元为金氧半场效晶体管时，则可由一P通道场效晶体管与一N通道场效晶体管或二P通道场效晶体管或二N通道场效晶体管所组成。

7、如权利要求1所述二次侧驱动型半桥式电源供应装置，其特征在于，该金氧半场效晶体管单元负责一正半周驱动或一负半周驱动。

8、如权利要求1所述二次侧驱动型半桥式电源供应装置，其特征在于，该隔离组件可将低电压转成高电压以驱动该金氧半场效晶体管单元。