[实用新型]电子提花控制系统无效

专利信息
申请号: 200720184178.1 申请日: 2007-10-15
公开(公告)号: CN201107650Y 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 张华熊;张聿 申请(专利权)人: 张华熊;张聿
主分类号: G05B19/418 分类号: G05B19/418;D03C3/24
代理公司: 浙江翔隆专利事务所 代理人: 戴晓翔
地址: 310018浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电子 提花 控制系统
【说明书】:

【所属技术领域】

本实用新型涉及一种电子提花控制系统,尤其涉及一种控制系统内设有两个微处理器的电子提花控制系统。

【背景技术】

随着计算机网络通信技术及信息技术的发展,网络化生产管理模式也在提花织造上被应用。传统的电子提花机一般通过一台计算机将织造数据传输到电子提花机的控制系统上,并由控制系统来控制织机进行织造。在织造传统的四方连续提花织物时,将织造数据在织造前一次性的保存到控制系统中的一个电可擦除的FLASH芯片中即可,在织造过程中就不再有传输行为,因而传输任务轻,用一台计算机就能控制几十台、几百台、甚至更多台电子提花机。但对于织造无循环提花织物(所谓无循环提花织物是指提花图案沿经线方向上呈无循环周期地交替出现的任意长的织物)来说,由于织造数据在织造过程中不断变换,电子提花机控制系统必须一边通过网络实时、连续不断地下载织造数据,一边控制电子提花机进行织造,难以用一台计算机控制几十台、几百台电子提花机进行织造。

此外,目前传统的基于ARM的电子提花机控制系统中所采用的数据接收储存芯片大多为NAND FLASH芯片。而NAND FLASH芯片的写入时间一般为200us,快擦除时间为2ms,可经受10万次擦写。也就是说当织造数据每一次变化,则需要2ms+200us左右的写入时间(因为NAND FLASH芯片写入数据前必须先进行擦除操作)。对于传统提花机控制系统采用NAND FLASH芯片保存织造数据是完全可行的。但对于织造无循环提花织物来说,假设织造数据每一分钟只变化一次,则一天需进行1440次写入操作,如此一来,NAND FLASH芯片的10万次擦写寿命最多只能使用70天,也就是说每两个多月就必须拆开电子提花机控制系统进行芯片更换,然而,目前的NAND FLASH芯片基本上采用贴片封装,重新焊接十分麻烦,在实际操作中这种方式是不可行的。

发明内容】

本实用新型的目的在于提供一种带两个微处理器的既可用于织造四方连续织物、又可用于织造无循环提花织物的电子提花控制系统,解决现有技术存在的电子提花控制系统内只有一个微处理器,在织造无循环提花织物时,微处理器读写织造数据速度慢、使用寿命短,用一台计算机控制多台电子提花机进行织造比较困难等问题。

本实用新型的上述技术目的主要是通过以下技术方案解决的:电子提花控制系统,包括输入输出模块,与其配合的微处理器,与微处理器连接的信号检测与同步模块、电子选针驱动模块、以太网模块、数据接收存储模块,其特征在于所述的微处理器包括相互间通过数据接收存储模块相连接的控制微处理器和数据接收微处理器,所述的电子选针驱动模块、信号检测与同步模块、输入输出模块分别与控制微处理器相连接,所述的以太网模块与数据接收微处理器相连接。预先设计好的织造数据被储存在以太网模块中的FTP服务器上。数据接收微处理器用于不断的通过以太网模块从FTP服务器上下载织造数据(织造数据包括织造参数、花型数据等),并储存到数据接收存储模块上,控制微处理器从数据接收存储模块上读取数据并控制与其配合的织机进行织造。该系统中采用两个微处理器,分别用于控制织机工作和用于接收织造数据,从而每个微处理器的工作任务轻,可以采用价格便宜的ARM7芯片(如S3C44B0),且对主频的要求较低,可采用四层板,降低了微处理器的设计难度,并节约了硬件成本。

作为对上述技术方案的进一步完善和补充,本实用新型采用如下技术措施:

所述的数据接收存储模块包括RAM芯片和数据存储芯片,所述的RAM芯片包括功能标记区、数据类型标记区、切换标记区和缓冲区,缓冲区又包括缓冲区A和缓冲区B,所述的RAM芯片分别连接控制微处理器和数据接收微处理器,所述的数据存储芯片与控制微处理器相连接。从FTP服务器上下载的织造数据储存到RAM芯片的缓冲区中,当需要织造传统的四方连续提花织物时,织造数据从缓冲区发送并储存到数据存储芯片上,控制微处理器读取数据存储芯片上的织造数据并控制织机进行织造;当需要织造无循环提花织物时,控制微处理器直接读取RAM芯片缓冲区上的织造数据并控制织机进行织造。缓冲区包括缓冲区A和缓冲区B,用于交替的储存下载下来的不同的织造数据,控制微处理器轮流读取缓冲区A和缓冲区B上的织造数据。功能标记区、数据类型标记区和切换标记区用于确保缓冲区A和缓冲区B顺利的轮流存储织造数据,并确保控制微处理器顺利的轮流读取缓冲区A和缓冲区B上的织造数据。

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