[实用新型]用于芯片封装的散热片组件无效
申请号: | 200720183484.3 | 申请日: | 2007-12-06 |
公开(公告)号: | CN201122591Y | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 黄琮琳;杨肇煌 | 申请(专利权)人: | 旭宏科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王昭林;崔华 |
地址: | 中国台湾高雄市前*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 芯片 封装 散热片 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种散热片组件,特别是涉及一种用于芯片封装的散热片组件。
背景技术
如图1所示,目前用于芯片封装的散热片1包含一散热体11,及一自散热体11周缘向外且向下延伸的支撑体12(在此以BGA为例说明)。
该用于芯片封装的散热片1在制程中,是在冲压成形后再一片一片地进行电镀(Electroplating),阳极处理或氧化处理步骤,作法是将该支撑体12与负极电连接,使该散热体11浸滞于含有金属(例如金、银、镍)离子的电镀液、阳极处理槽液或氧化处理液中,通电之后就可镀覆一金属层、阳极皮膜层或氧化层,并使该散热片1具有防氧化锈蚀或绝缘的能力。
由于该散热片1是一片一片地进行处理,不但费时费工,也不易应用在可大量生产的自动化生产线上,在制程效率上相当不理想。
以电镀作业来说,每一散热片1电镀后形成在该散热片1表面的金属层的质量也会因为是一片一片地加工而参差不齐。举例来说,镀覆在散热片1表面上的金属层厚度与分布平均度会因外在因素,例如散热片1浸滞在电镀液中的时间长短等而有所不同,如该散热片1需要被大量生产,就单以金属层厚度来说,各个完成品之间的差异会相对提高,造成出货质量上的参差不齐且控管不易,进而影响出产的散热片1抗氧化锈蚀的能力。
实用新型内容
本实用新型的目的,在于提供一种用于芯片封装的散热片组件,该用于芯片封装的散热片组件不但可以提升芯片封装用散热片的电镀处理、阳极处理及氧化处理制程效率,而且也可以同时提升处理后散热片组件的质量。
为达到上述目的,本实用新型用于芯片封装的散热片组件,包含一框架单元及一散热片单元。
该框架单元具有多个相邻接的框架,每一框架围绕界定出一容置空间,及至少一自该框架向该容置空间延伸突出的连接段。
该散热片单元具有多个位于该容置空间中的散热片,且每一散热片是与该连接段连接。
本实用新型的功效在于,利用一框架单元搭载多个散热片,并在电镀、阳极处理或氧化处理过程中能借由该框架单元一次处理多个散热片,进而提升制程效率,各批处理后的完成品也会因为接受同样的处理过程而质量较稳定。
附图说明
图1是一立体图,说明现有用于芯片封装的散热片;
图2是一俯视图,说明本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第一优选实施例;
图3是一俯视图,说明本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第二优选实施例;
图4是一俯视图,说明本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第三优选实施例;
图5是一俯视图,说明本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第四优选实施例;
图6是一俯视图,说明本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第五优选实施例。
具体实施方式
下面通过优选实施例及附图对本实用新型用于芯片封装的散热片组件进行详细说明。
在本实用新型被详细描述之前,要注意的是,在以下的说明中,类似的元件是以相同的附图标记来表示,此外,本实用新型用于芯片封装的散热片组件,可被应用在各种不同的芯片封装方式上,例如:覆晶封装(Flip Chip,F/C)、球门阵列封装(Ball Grid Array,BGA)、方块形扁平封装(Quad Flat Package,QFP)、超薄方块形扁平封装(LowProfile Quad Flat Package,LQFP)等。
如图2所示,本实用新型用于芯片封装的散热片组件的第一优选实施例,适用于球门阵列封装(Ball Grid Array,BGA)用的散热片,BGA封装在电子产品中,主要应用于300接脚数以上高密度结构的产品,如芯片组、CPU、Flash、部份通信用IC等;由于BGA封装所具有的良好电气、散热性质,以及可有效缩小封装体面积的特性,使其需求成长率远高于其它型态的封装方式。
该第一优选实施例,包含:一框架单元2及一散热片单元3。该框架单元2具有多个相邻接的框架21,且所述框架21为正矩形。在本实施例中,每一框架21由四个侧边围绕界定出一容置空间,并于各个侧边向该容置空间延伸突出一连接段211,进而形成如图2所示每一框架21上设有四个连接段211。选择此连接段211的配置方式,是为了让连接于所述连接段211上的散热片单元3在电镀、阳极处理或氧化处理后形成的金属层、阳极皮膜层或氧化层的厚度更为平均。
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