[实用新型]发光二极管无效
| 申请号: | 200720178664.2 | 申请日: | 2007-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN201103846Y | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
| 发明(设计)人: | 陈锦庆;王文勋;林明魁;张正宜 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号: | F21V5/00 | 分类号: | F21V5/00;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;张燕华 |
| 地址: | 中国台湾台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管,且特别涉及一种增加透光率的发光二极管。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode;LED)具有省电、环保、使用寿命长、体积小、不易破损等优点,已逐渐取代传统光源应用于汽车、通讯、消费性持续性电子及工业仪表等各种不同领域。随着发光二极管的应用范围持续扩大,现今对于发光二极管的发展有两大方向,第一是提供高均匀亮度的白光,第二是对高亮度的要求。由于单颗发光二极管亮度低于一般照明需求,因此期望由磊晶制作及封装技术的改良来提高光电转换效率以及外部光取出率,使发光二极管的应用范围更为广泛。
参照图1,一种传统的发光二极管100的封装结构,发光组件110固设于基板120,再施以焊线130,并以压模方式使透光层140封装于发光组件110上。之后再沿切割线150进行切割作业,并逐一做品质测试,以制成发光二极管。
这种发光二极管100的缺点在于,当发光组件110穿过透光层140时,部分光线会受到阻滞,一般的透光率只有1.5左右,所以,碍于许多电子产品对于发光二极管的亮度要求日益增加的情形下,有必要再寻求解决之道。
发明内容
本实用新型所提供的一种发光二极管,为解决传统发光二极管的出光量低的问题,在透光层镀上一层折射率小于透光层的抗反射光学膜,降低全反射的影响,以增加整体的封装后的透光率。
根据本实用新型所提出的一种发光二极管,由一基板、数个金属垫、数个导线、一发光组件、一透光层、一抗反射膜与一保护膜所组成。其中,金属垫固定于基板上。导线电性连接在该发光组件与该等金属垫之间。透光层封装在发光组件上。抗反射膜被覆在该透光层的一外表面,且该抗反射膜的折射率小于该透光层的折射率。
发光组件发出的光源穿透该透光层之后,再经过抗反射的光学膜,可降低反射效应,使发光二极管整体的出光率提高至1.38左右。
本实用新型的发光二极管的整体封装结构,在固晶打线之后,再以压模方式将透光层封设在发光组件上,接着在透光层以真空蒸镀方式形成一层抗反射的光学膜,最后在抗反射膜表面镀上一层保护层,以防止该抗反射膜受到外力影响而脱落。为此抗反射膜以降低光源的全反射影响,来增加整体透光率以做亮度上的提升。
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述,但不作为对本实用新型的限定。
附图说明
图1为传统发光二极管的封装结构的组合剖视图;
图2为本实用新型一实施例的发光二极管的组合剖视图;
图3为该实施例中制造此发光二极管的切割前的组合剖视图;
图4为该实施例的发光二极管其封装流程的方块图。
其中,附图标记
100:发光二极管 110:发光组件
120:基板 130:焊线
140:透光层 150:切割线
200:发光二极管 210:基板
220:金属垫 230:导线
240:发光组件 250:透光层
260:抗反射膜 270:保护膜
300:切割线 310:流程
320:流程 330:流程
340:流程 350:流程
360:流程
具体实施方式
参照图2,本实用新型的发光二极管200的一实施例,包含一基板210、数个金属垫220、数个导线230、一发光组件240、一透光层250、一抗反射膜260与一保护膜270所组成。
参照图3与图4,本实用新型的发光二极管的封装结构,该等金属垫220安置在基板210顶面。如流程310,将发光组件240固设在基板210上。如流程320,再将导线230焊固在发光组件240与金属垫220上。完成固晶焊线后,如流程330,以压模方式将环氧树脂(Epoxy)封设在发光组件240、导线230与金属垫220上。如流程340,再沿切割线300延伸,做芯片切割作业。如流程350,在透光层250上施以镀膜作业,依序以真空镀膜方式形成有抗反射膜260与保护膜270,以完成发光二极管封装体。如流程360,再逐一对每一个发光二极管200作品质测试,以构成发光二极管成品。
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