[实用新型]一种有机电致发光器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电材料应用器件，特别涉及一种含对苯二胺取代9，9-二烷基芴结构的有机空穴注入材料的有机电致发光器件(OLED)。

背景技术

1987年，邓青云(Tang，C.W.et al.Appl.Phys.Lett.1987，52，913)研究小组首次提出了第一个有机多层非晶体薄膜的OLED结构。1990年Burroughes等人(Burroughes，J.H.et al.Nature 1990，347，539)首次报道了第一个高分子发光二极管，自此有机电致发光研究进入了一个全新的阶段。近十年，响应快、亮度高、工作电压低、面积大的有机发光二极管，已经被应用于不同的平面显示器中(Journal of the American ChemicalSociety，2002，124，11576；Journal of Display Technology，2005，1，90；Molecular Electronics and Bioelectronics 2007，18，25.)。

OLED的发光机制在于电子和空穴分别从阴阳极注入后，通过在两电极间的多层有机功能层(空穴注入层HIL，空穴传输层HTL，发光层EML，电子传输层ETL，电子注入层EIL)在发光分子中结合形成激发子，激子辐射衰变而发光。由于电子和空穴的输送率一般很难均等，由此造成激发光效率降低。要保持电荷载体的平衡，各功能层的优化是至关重要的。

要获得性能优异的器件，首先要选择合适的材料。在组成有机发光二极管的诸多材料中，空穴注入层的有机空穴注入材料的成膜性及其薄膜的热稳定性和厚度对提高有机电致发光器件的效率和寿命具有重要的作用(Angew.Chem.Int.Ed.1998，37，402；Huang，J.et al.Appl.Phys.Lett.2002，79，139；Friend，R.H et al.Nature，1999，397，121；Vanslyke et al.US Patent No.5061569)。ITO(氧化铟锡导电玻璃)基板表面的粗糙度直接影响元件的发光效率，造成驱动寿命降低，元件短路等。采用在ITO玻璃和空穴传输层间增加空穴注入层可降低界面的能障，进而降低器件的起始电压。但加入这一空穴注入层后又往往要增加器件在正常工作的工作电压，从而缩短器件的使用寿命。目前常用的空穴注入材料有酞菁铜CuPc(最高占据电子轨道HOMO＝4.8 eV)，4，4′，4″-三-[(N-苯基-N-2-萘基)胺基]三苯胺2-TNATA(HOMO＝5.1 eV)，掺杂聚噻吩PEDOT(HOMO＝5.0 eV)等。尽管它们都能达到降低起亮电压的效果，但其中大多材料的Tg低于100℃，PEDOT价格昂贵，CuPc会吸收红光。2-TNATA具良好的热稳定性(Tg＝110℃)和成膜性，无论以单一或P型掺杂作空穴注入材料，都能有效降低阳极和空穴传输层间势垒和器件的驱动电压，但其空穴注入能力受空穴注入层厚度的影响较大。因此优选空穴注入材料是近年来OLED材料研究中的热点之一，发明新型的空穴注入材料是本实用新型的目的所在。

芴类衍生物具有高氧稳定性和刚硬性，三苯胺和对苯二胺作为空穴材料空穴移动率高，三者结合在一起，增加了分子的几何构型，提高分子体积和分子量，从而提高材料的耐热性和成膜性。目前以芴为母体，含三苯胺功能团的空穴注入材料多为含4个共平面的氮原子(US 6541129B1；WO2006/0406441A1)。本实用新型合成的BUHI分子内含有处于共轭体系的6个共平面氮原子，具有比较低的氧化电位。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种含对苯二胺取代9，9-二烷基芴结构的有机空穴注入材料的有机电致发光器件(OLED)。

所述有机电致发光器件，包括夹在阴阳极之间的发光层，在所述阳极和发光层之间具有空穴注入层，所述空穴注入层填充包含对苯二胺取代芴的注入材料。

所述对苯二胺取代芴为对苯二胺取代9，9-二烷基芴结构的化合物，该材料2，7-二[N，N-二(4-N，N-二苯氨基)苯基]氨基-9，9-二烷基芴命名为BUHI，一般结构式如下：

其中R₁和R₂为C₂-C₂₀烷基，R₁和R₂可以相同也可以不同。