[实用新型]以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构

权利要求书

1.一种以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于，包括：

一陶瓷基板，其具有一本体、及复数个彼此分开且分别从该本体延伸而出的突块；

一导电单元，其具有复数个分别成形于该等突块表面的导电层；

一中空陶瓷壳体，其固定于该陶瓷基板的本体的顶面上以形成一容置空间，并且该容置空间曝露出该等导电层的顶面；

复数个发光二极管芯片，其分别设置于该容置空间内，并且每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别电性连接于不同的导电层；以及

一封装胶体，其填充于该容置空间内，以覆盖该等发光二极管芯片。

2.如权利要求1所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该陶瓷基板的本体的侧面具有复数个分别形成于每两个突块之间的半穿孔。

3.如权利要求1所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该本体与该中空陶瓷壳体为两个相互配合的长方体。

4.如权利要求1所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该导电单元更进一步包括：

一第一导电单元，其具有复数个分别成形于该等突块表面的第一导电层；

一硬度强化单元，其具有复数个分别成形于该等第一导电层上的硬度强化层；以及

一第二导电单元，其具有复数个分别成形于该等硬度强化层上的第二导电层；

藉此，该等第一导电层、该等硬度强化层及该等第二导电层依序组合成该导电层。

5.如权利要求4所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该第一导电层为银膏层。

6.如权利要求4所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该硬度强化层为镍层。

7.如权利要求4所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该第二导电层为金层或银层。

8.如权利要求1所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该导电单元更进一步包括：

一第一导电单元，其具有复数个分别成形于该等突块表面的第一导电层；以及

一第二导电单元，其具有复数个分别成形于该等第一导电层上的第二导电层，其中每一个第二导电层为一硬度强化导电层；

藉此，该等第一导电层及该等第二导电层组合成该导电层。

9.如权利要求8所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该第一导电层为银膏层。

10.如权利要求8所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该第二导电层为金层或银层。

11.如权利要求1所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该容置空间是以朝上的方式，以使得该等导电层的底面接触于一电路板。

12.如权利要求1所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该容置空间是以朝向侧面的方式，以使得该等导电层的侧面接触于一电路板。

13.如权利要求1所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该等导电层分成复数个正极导电部及负极导电部。

14.如权利要求13所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片的正、负电极端分别设置于每一个发光二极管芯片的上表面；藉此，透过打线的方式，以使得每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别透过两导线而电性连接于相邻的正极导电部及负极导电部。

15.如权利要求13所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片的正、负电极端分别设置于每一个发光二极管芯片的下表面与上表面；藉此，透过打线的方式，以使得每一个发光二极管芯片的正电极端直接电性连接于相对应的正极导电部，并且每一个发光二极管芯片的负电极端则透过一导线而电性连接于相对应的负极导电部。

16.如权利要求13所述的以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片的正、负电极端分别设置于每一个发光二极管芯片的下表面；藉此，透过覆晶的方式，以使得每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别透过复数个相对应的锡球而电性连接于相邻的正极导电部及负极导电部。