[实用新型]辐射型漏泄同轴电缆有效
| 申请号: | 200720176715.8 | 申请日: | 2007-09-13 |
| 公开(公告)号: | CN201112009Y | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
| 发明(设计)人: | 王革;王念立;王胜军;胡玮 | 申请(专利权)人: | 焦作铁路电缆工厂 |
| 主分类号: | H01B11/18 | 分类号: | H01B11/18;H01P3/06 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 方挺;沈锦华 |
| 地址: | 45400*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 辐射 漏泄 同轴电缆 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种信号电缆,尤其涉及一种辐射型漏泄同轴电缆。
背景技术
漏泄同轴电缆通过在其外导体上设置开口而向外界辐射并从外界接收电磁波信号,因而兼有信号传输线和收发天线的双重功能,主要用于无线电信号传播不良的场合,如隧道、坑道、地下铁路、地下建筑、山区等环境中。现有漏泄同轴电缆有两种结构形式,一种是辐射型漏泄同轴电缆,其主要用于低频段;另一种是耦合型漏泄同轴电缆。
辐射型漏泄同轴电缆仅适用于频率为900MHz以下的频段。如果将其应用于频率为1800MHz以上的场合,则电缆传输衰减很大,不能满足3G高频(1800-2400MHz)传输时的使用要求。
耦合型漏泄同轴电缆属于宽频漏缆,其使用频段宽,但传输衰减与耦合损耗之和(即系统损耗)较大,致使其传输距离较短,不能满足长距离的无线盲区信号覆盖要求。此外,它的耦合损耗受其所处环境的影响较大,在传输高频(1800-2400MHz)信号时很不稳定,50%和95%耦合损耗值偏差太大,数据信号传输误码率大。因此,耦合型漏泄同轴电缆也不能满足高频段(如3G频段)的使用要求。
实用新型内容
本实用新型克服上述现有技术之不足,提供一种能应用于3G等高频场合(1800-2400MHz)时传输衰减小的辐射型漏泄同轴电缆。
按照本实用新型提供的一种辐射型漏泄同轴电缆,包括:内导体;绝缘层,包覆于所述内导体外部;外导体,套合于所述绝缘层外部,所述外导体上成形有多个第一漏泄槽孔;外护套,包覆于所述外导体外部。其中,所述漏泄槽孔包括沿第一方向延伸的第一部分和自所述第一部分的一端沿第二方向延伸的第二部分,所述第一部分的长度不大于120mm,宽度不大于15mm;所述第二部分的长度小于所述第一部分的长度,所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度。
优选地,所述第二部分的长度不大于20mm,宽度不大于25mm。
优选地,所述第二部分的宽度与所述第一部分的宽度之差不大于10mm。
优选地,所述第一部分和第二部分相互垂直,所述第一方向为所述外导体的轴线方向,所述第二方向为所述外导体的切线方向。
优选地,相邻的两所述漏泄槽孔构成一组,且二者的第二部分朝相反的方向延伸,所述漏泄槽孔的节距不小于200mm,不大于500mm。
优选地,相邻的两所述漏泄槽孔之间的间距不小于10mm,不大于100mm。
按照本实用新型提供的另一种辐射型漏泄同轴电缆,包括:内导体;绝缘层,包覆于所述内导体外部;外导体,套合于所述绝缘层外部,所述外导体上成形有多个第一漏泄槽孔;外护套,包覆于所述外导体外部。其中,所述第一漏泄槽孔大体为矩形,其长度方向为所述外导体的切线方向,所述第一漏泄槽孔的长度不大于120mm,宽度不大于15mm。
优选地,相邻的两所述第一漏泄槽孔之间的间距不小于10mm,不大于100mm。
优选地,所述外导体上还成形有第二漏泄槽孔,所述第二漏泄槽孔大体为矩形,其长度方向为所述外导体的轴线方向。
优选地,所述第二漏泄槽孔的面积不大于所述第一漏泄槽孔的面积的八分之一,且所述第一漏泄槽孔与所述第二漏泄槽孔间隔地设置。
按照本实用新型提供的辐射型漏泄同轴电缆,由于其漏泄槽孔采用了特殊的结构尺寸(沿电缆轴线方向的最长长度不大于120mm,沿电缆切线方向的最小宽度不大于15mm),因此可有效降低平行于电缆的横向极化,使横向极化的辐射最小化,因而电缆圆周方向的电场相互叠加,即使得辐射电场集中在电缆圆周方向向前传输,接收天线沿电缆移动时,接收的是电缆圆周方向相互叠加的场,而轴向场相互抵消,即轴向没有辐射能量损失或者损耗很小。因而与现有漏泄同轴电缆相比,该同轴电缆工作于3G频段或更高频率的频段时,传输衰减大大降低,从而增加了漏泄同轴电缆的无线盲区覆盖距离;并且在高频传输时50%和95%耦合损耗值偏差小,数据信号传输时误码率小且稳定。因此,本实用新型的辐射型漏泄同轴电缆能满足信号在3G高频率传输时对漏泄同轴电缆性能指标的要求。
附图说明
图1为按照本实用新型提供的辐射型漏泄同轴电缆的横截面剖视示意图;
图2为按照本实用新型的一种优选实施方案的漏泄同轴电缆的外导体上漏泄槽孔的结构分布示意图;
图3为按照本实用新型的另一种优选实施方案的漏泄同轴电缆的外导体上漏泄槽孔的结构分布示意图;
图4为按照本实用新型的再一种优选实施方案的漏泄同轴电缆的外导体上漏泄槽孔的结构分布示意图;
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