[实用新型]高密度高屏蔽连接器公座插头有效

专利信息
申请号: 200720171918.8 申请日: 2007-09-21
公开(公告)号: CN201112818Y 公开(公告)日: 2008-09-10
发明(设计)人: 郭小松 申请(专利权)人: 安费诺东亚电子科技(深圳)有限公司
主分类号: H01R13/46 分类号: H01R13/46;H01R13/426
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518132广东省深圳市宝安区公*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 高密度 屏蔽 连接器 插头
【权利要求书】:

1.一种高密度高屏蔽连接器公座插头,包括端子座,包覆于端子座外面的EMI外壳,和用于容置并固定端子座、固定EMI外壳的壳体;所述的端子座上设有复数个端子,端子与线缆联接,所述的壳体设有用于穿过线缆的线孔;其特征在于:所述的端子座包括上半部和下半部,所述的端子座上半部和端子座下半部为可拆式联接,并各设有两排端子,所述端子座上半部与端子座下半部之间于端子接线端的相邻处设有一绝缘片,所述的绝缘片内设有一导电薄片,所述导电薄片的两端与EMI外壳电性联接。

2.根据权利要求1所述的高密度高屏蔽连接器公座插头,其特征在于:所述端子座下半部设有复数个凸状体,所述的端子座上半部设有复数个凹状体,所述的凸状体和凹状体嵌合在一起,构成前述端子座上半部和端子座下半部的可拆式联接。

3.根据权利要求2所述的高密度高屏蔽连接器公座插头,其特征在于:所述的导电薄片的两端突出于绝缘片并与EMI外壳联接,所述的绝缘片中间设复数个定位孔,所述的端子座下半部设有复数个与前述定位孔相对应的定位凸块。

4.根据权利要求2或3所述的高密度高屏蔽连接器公座插头,其特征在于:所述的壳体包括下壳本体和与下壳本体联接的上盖,下壳本体和上盖的一侧均设有用于构成线孔的缺口,所述的下壳本体于缺口邻近处联接有用于固定线缆的卡环,所述的卡环与下壳本体螺纹联接,下壳本体还设有用于固定EMI外壳的卡槽和用于固定端子座的凸壁;所述的上盖于也设有用于固定EMI外壳的卡槽。

5.根据权利要求4所述的高密度高屏蔽连接器公座插头,其特征在于:所述的壳体为金属壳体,所述的导电薄片与金属壳体联接,构成前述的导电薄片的两端与EMI外壳电性联接;所述的上壳本体于端子与线缆联接部位的对应处设有绝缘条,所述的上盖于端子与线缆联接部位的对应处设有绝缘条。

6.根据权利要求2或3所述的高密度高屏蔽连接器公座插头,其特征在于:所述的壳体为金属壳体,所述的导电薄片与金属壳体联接,构成前述的导电薄片的两端与EMI外壳电性联接;所述的上壳本体于端子与线缆联接部位的对应处设有绝缘条,所述的上盖于端子与线缆联接部位的对应处设有绝缘条。

7.根据权利要求5所述的高密度高屏蔽连接器公座插头,其特征在于:所述端子的接线一端为用于容置线缆线头的“U”形的槽形截面结构,槽的两个内侧沿轴向位置设有一对或复数对的棱边,相对棱边的间隙小于线缆的导线直径。

8.根据权利要求6所述的高密度高屏蔽连接器公座插头,其特征在于:所述端子的接线一端为用于容置线缆线头的“U”形的槽形截面结构,槽的两个内侧沿轴向位置设有一对或复数对的棱边,相对棱边的间隙小于线缆的导线直径。

9.根据权利要求7所述的高密度高屏蔽连接器公座插头,其特征在于:EMI外壳的截面形状为梯形,EMI外壳的外围设有与下壳本体和上盖的卡槽配合的凸边;所述的下壳本体的外侧设有一备用固定孔。

10.根据权利要求8所述的高密度高屏蔽连接器公座插头,其特征在于:EMI外壳的截面形状为梯形,EMI外壳的外围设有与下壳本体和上盖的卡槽配合的凸边;所述的下壳本体的外侧设有一备用固定孔。

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