[实用新型]枕校电路及具有所述枕校电路的电视机无效
| 申请号: | 200720159675.6 | 申请日: | 2007-12-24 | 
| 公开(公告)号: | CN201156772Y | 公开(公告)日: | 2008-11-26 | 
| 发明(设计)人: | 王伟;杨嘉;项红强;刘勇;成刚 | 申请(专利权)人: | 青岛海信电器股份有限公司 | 
| 主分类号: | H04N3/23 | 分类号: | H04N3/23 | 
| 代理公司: | 青岛联智专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 邵新华 | 
| 地址: | 266100山东*** | 国省代码: | 山东;37 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电路 有所 述枕校 电视机 | ||
技术领域
本实用新型属于图像处理电路技术领域,具体地说,是涉及一种应用于图像显示设备的枕校电路及具有所述枕校电路的电视机。
背景技术
电视技术经过多年的发展,到现阶段已经成为非常成熟的产品,市场的竞争也越来越残酷,特别是随着平板显示技术的愈加成熟和价格的不断下降,CRT电视产品面临着越来越大的挑战,尤其是大屏幕的高端CRT电视机,由于本身的价格和平板电视相比略为接近,因此,市场受到严重的威胁。实际上,就图像显示效果来讲,CRT电视产品还是具有很大优势的,比如对比度和屏幕响应时间就比平板电视优越。因此,如何能最大限度的提高CRT电视产品在高端市场的竞争能力,延长CRT电视产品的市场寿命就成为目前各个显像管生产厂家和整机制造商需要解决的一个迫切问题。
基于此,超薄CRT电视应运而生。超薄CRT电视产品在厚度上比传统的CRT电视大大缩减,如果能配合上好的工业设计,CRT电视产品也能在外观上给人一种平板电视的效果,从而大大提高了CRT电视产品的市场竞争力。
为解决CRT电视的非线性失真问题,都需要增加枕校电路,超薄CRT类电视产品也不例外。但是,在非超薄管CRT电视机的枕校电路中,扫描电路的行电流比较小,因此枕校电路的负载较小。在传统的枕校电路中,枕校管与行扫描电路之间只需串联一个2.2欧姆的电阻R406即可解决电视产品的非线性失真问题,参见图1所示。但应用到超薄管CRT电视电路中,由于超薄管枕形失真严重,枕校电路负载变大,随着工作时间的增加,枕校管发热,导致其输出的波形也会发生微小的变化,在屏幕上则产生行幅慢慢变大的情况,从而严重影响了图像的显示效果。
实用新型内容
本实用新型为了解决将现有枕校电路应用于超薄CRT电视产品中造成行幅变大的问题,提供了一种适用于超薄CRT电视产品的枕校电路,解决了由于枕校管发热引起的输出电压变化的问题,从而稳定了行幅,提高了超薄CRT电视产品的图像显示效果。
为解决上述技术问题,本实用新型采用以下技术方案予以实现:
一种枕校电路,包括枕校管和预视放芯片,所述枕校管的控制端接收预视放芯片发出的枕校信号,选通端一端接地,另一端通过多个相互并联的电阻连接行扫描电路。
进一步的,在所述多个相互并联的电阻与行扫描电路之间串联有耦合电感。
其中,所述枕校管可以采用N沟道MOS管实现,其栅极连接预视放芯片的枕校信号输出端,源极接地,漏极通过所述的多个相互并联的电阻连接行扫描电路。
为了达到分担较大功率的目的,在所述多个相互并联的电阻中,每一个电阻的功率都应选在5W左右。
基于上述枕校电路结构,本实用新型又提出了一种具有所述枕校电路的电视机,通过电视机内部解码板上的预视放芯片输出枕校信号,对枕校管进行控制,并利用连接在枕校管与行扫描电路之间的多个相互并联的电阻对枕校管输出的电压进行分压,从而减轻了对行扫描电路的影响,使行幅变化控制在可接受的范围内。
优选的,所述多个并联电阻采用三个47欧姆、功率为5W的电阻实现,以分担消耗功率。
与现有技术相比,本实用新型的优点和积极效果是:本实用新型通过对枕校电路的输出进行改进,以简单的电路结构解决了枕校管由于负载大、发热引起的输出电压变化,进而导致屏幕行幅慢慢变大的问题,极大改善了图像的输出质量。此电路设计巧妙,几乎不增加成本,易于实现,尤其适用于目前的超薄CRT电视产品中。
附图说明
图1是CRT电视机中传统枕校电路的原理图;
图2是本实用新型所提出的枕校电路的一种实施例的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细地描述。
本实用新型所提出的枕校电路为了有效避免超薄CRT电视产品因枕校输出波形变化引起的行幅变化,对现有CRT电视产品中的枕校电路进行改进,在延用原有电路的基础上,通过在枕校管与行扫描电路之间连接多个相互并联的电阻,以起到纠正枕形失真的作用。
其设计原理是利用连接在枕校管与行扫描电路之间多个并联电阻起到分压作用,使枕校电路输出加载在行扫描电路上的电压较小,这样由于枕校电路负载大引起的枕校输出电压波形的改变也会相应地减小,从而使屏幕上行幅的变化也会减小,进而达到标准要求。
实施例一,参见图2所示,本实施例以采用N沟道MOS管作为所述的枕校管为例,具体阐述改进后的枕校电路结构。
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