[实用新型]带温度补偿的欠压锁定电路

权利要求书

1.一种带温度补偿的欠圧锁定电路，其特征在于，所述电路包括一电压采样电路、一温度补偿电路、一缓冲器电路和一反馈电路，所述电压采样电路对第一电压源进行采样后提供电压采样信号给所述温度补偿电路，所述温度补偿电路的输出信号经缓冲器电路整形后输出欠圧锁定电路的输出信号，所述缓冲器电路提供一馈电端，所述反馈电路连接在该馈电端和电压采样电路之间，用于实现电路的迟滞功能。

2.如权利要求1所述的带温度补偿的欠圧锁定电路，其特征在于，所述电压采样电路包括串联在第一电压源和接地端之间的第一电阻、第二电阻和第三电阻，第二电阻和第三电阻之间形成电压采样电路的输出端，提供电压采样信号给所述温度补偿电路。

3.如权利要求1所述的带温度补偿的欠圧锁定电路，其特征在于，所述温度补偿电路为带隙基准电路，包括一电流镜电路、第一晶体管、第二晶体管、第四电阻和第五电阻，电流镜电路将取自第二电压源的电流均分到第一晶体管和第二晶体管的集电极，第一晶体管和第二晶体管的基极相连，接收所述电压采样信号，第一晶体管的发射极通过第五电阻接地，第二晶体管的集电极提供温度补偿电路的输出端，其发射极通过第四电阻与第一晶体管的发射极连接。

4.如权利要求3所述的带温度补偿的欠圧锁定电路，其特征在于，所述电流镜电路包括第一场效应管和第二场效应管，第一场效应管的栅极和漏极连接在一起，第一场效应管和第二场效应管的源极都与第二电压源连接，栅极连接在一起，第一场效应管和第二场效应管的漏极分别连接第一晶体管和第二晶体管的集电极。

5.如权利要求1所述的带温度补偿的欠圧锁定电路，其特征在于，所述缓冲器电路包括一放大器和一反相器，放大器的输入端与温度补偿电路的输出端连接，其输出端接反相器的输入端，反相器的输出端输出欠圧锁定电路的输出信号。

6.如权利要求1所述的带温度补偿的欠圧锁定电路，其特征在于，所述电压采样电路包括串联在第一电压源和接地端之间的第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述反馈电路由第三场效应管构成，第三场效应管的栅极连接所述馈电端接收反馈信号，其源极连接第一电压源，其漏极与第一电阻和第二电阻之间形成的节点连接。

7.如权利要求1所述的带温度补偿的欠圧锁定电路，其特征在于，所述电压采样电路包括串联在第一电压源和接地端之间的第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管，每一个场效应管的栅极连接其漏极，第四场效应管的源极连接第一电压源，第四场效应管的漏极连接第五场效应管的源极，第五场效应管的漏极连接第六场效应管的源极形成电压采样电路的输出端，提供电压采样信号给所述温度补偿电路，第六场效应管的漏极与接地端连接。

8.如权利要求3所述的带温度补偿的欠圧锁定电路，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为NPN管。