[实用新型]有机电致发光器件无效
| 申请号: | 200720152011.7 | 申请日: | 2007-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN201084751Y | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
| 发明(设计)人: | 密保秀;高志强;陈金鑫;谢国伟 | 申请(专利权)人: | 香港浸会大学 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丛芳;彭晓玲 |
| 地址: | 中国香*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 | ||
1.一种有机电致发光器件,其中包括由下至上依次设置的基片层(101),阳极(102),空穴注入层或空穴传输层(103),发光层(105),电子注入层或电子传输层(106)以及阴极(107),其特征在于空穴注入层或空穴传输层(103)为掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于在掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层上方设有缓冲层(104)。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其特征在于所述的掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层中掺杂有一种含双氟取代的7,7,8,8-四氰基醌二甲烷衍生物掺杂材料。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件,其特征在于掺杂材料为F2-HCNQ或F2-HCNQ的衍生物。
5.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其特征在于所述的掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层中的主体材料,其电子的最高占据轨道的能级在4.9eV与6.5eV之间。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件,其特征在于所述的主体材料为2-TNATA,NPB,VOPC,ZnPC,TDATA或TPD。
7.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其特征在于基片层(101)是器件(100)的支撑层;阳极(102)置于基片层(101)之上,由功函数较高的金属、金属氧化物、碳黑、导电聚合物制得;阴极(107)是由较低功函数的金属或金属合金构成。
8.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其特征在于掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层厚度为5-400nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





